静态随机存取储器设计与实现关键技术研究

发布时间：2020-04-16 22:30

【摘要】：随着芯片集成度越来越高,容量要求越来越大,使得存储器在集成电路中所占面积比例越来越大,存储器对于系统性能的影响也越来越大,以至于存储器性能的提高成为一个极大的挑战。近年来,静态随机存取存储器(SRAM)的低功耗和快速数据存取的特点使其发展迅猛,如今SRAM尤其是高速SRAM在通讯领域的各项基础设施和通讯终端设备中被广泛应用。静态随机存取存储器(SRAM)促进了当今的高端便携消费电子产品热潮,但同时这也对SRAM的性能提出了更高的要求。所以对于大容量、高密度、高速度、低电压、低功耗和高可靠性的静态随机存取存储器(SRAM)的研究和设计具有重要的意义和价值。 本文通过分析静态随机存取存储器(SRAM)在当今集成电路设计中现状及发展,基于VLSI实验室的多个SRAM设计项目,研究了SRAM设计和实现过程中的关键技术。 本文首先分析了各种不同结构的SRAM基本存储单元的原理及特点,以及不同种类的SRAM电路结构及其特征,提出了它们的应用对于SRAM电路性能的影响。细化地研究了在SRAM电路设计过程中为提高芯片性能,需要特别设计的电路关键组成部分。提出SRAM全定制设计和实现的方法,并且研究了SRAM芯片设计过程中电路及版图的各种不同的仿真验证方法。最后研究了为提高SRAM芯片的可靠性和性能,在版图物理实现过程中可采用的方法和工艺。
【图文】：

第二章 静态随机存取存储器结构与工作原理半导体存储器分为很多种类，但是它们的总体结构基本相同，，不同存主要区别在于存储单元的结构和功能。存储器按功能分为如图 2-1 所同时这些存储器根据电路结构以及数据存取方式的不同，又被分为异同步存储器，单端口存储器和双端口存储器，以及先入先出 FIFO 存储储器有如此丰富的种类，但是它们的总体电路结构框图是基本一致的要不同点在于其工作环境以及存储单元的差别。本章通过对 SRAM 的介绍了存储器电路的结构和工作原理，并深入研究了不同的 SRAM 存构与工作原理，讨论了不同电路结构的 SRAM 结构。

存储器的基本结构示意图
【学位授予单位】：电子科技大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2011
【分类号】：TP333.8

【参考文献】

相关期刊论文 前3条

1 莫大康;;全球存储器的风险剖析[J];电子工业专用设备;2007年07期

2 陈质冉;张晓林;;高速SRAM编译器的设计[J];电子测量技术;2007年01期

3 于纪波;半导体存储器及发展趋势[J];山西经济管理干部学院学报;2002年02期

相关硕士学位论文 前2条

1 张小平;CMOS集成电路的抗辐射分析及设计[D];西安理工大学;2003年

2 赵容;基于商用工艺的抗辐射SRAM设计与实现[D];湖南师范大学;2009年

本文编号：2630100