180nm嵌入式EPROM数据保持能力的工艺优化研究

发布时间：2020-05-12 20:35

【摘要】： 在0.18um工艺下的EPROM(OTP)的研发过程中,晶圆测试达到较高的良率后,数据保持能力的验证就是一项重要的工作。而一般以150℃下1000小时的加速实验作为验证的标准。通常在非加速条件下进行,耗时较长。在市场竞争日趋激烈的环境下,企业迫切需要缩短新产品的可靠性验证时间。本文针对EPROM的保持能力的工艺优化方面做了一些实验研究和方法探讨。根据在不同温度下的数据保持能力的验证,分析出相应的失效模式,并同时做一些相应的工艺改进,不断提高产品的品质。
【学位授予单位】：苏州大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2010
【分类号】：TP333.7

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本文编号：2660807