金属纳米晶非挥发存储器存储特性的模拟
【图文】:
第一章 绪论绍了非挥发存储器件的市场概况,,然后总结了非挥发性存储器引出金属纳米晶存储器件,最后简要介绍全文内容。储器市场储器件是一种重要的存储器件,它的特点是在电源被切断的情中的信息,商业产品要求能将数据保留十年。近年来,随着消储设备、笔记本电脑和 PDA 等)的广泛使用,非挥发性存储速存储器(Flash Memory)为主的非挥发存储器件市场份额十年7 年全球市场总额达到 200 亿美元。
图 1.2 FLASH 存储器应用[1.1]Fig. 1.2 FLASH memory application[1.1]件结构发展历史储器件(Non-Volatile Semiconductor Memory, NVSM)EPROM 到 Flash Memory 的各个阶段。图 1.3 展现了 中浮栅结构是所有非挥发存储器件的基础,半导体纳可靠性,金属纳米晶存储器则试图进一步提高半导体米晶存储器件由Zengtao Liu于2002年首次提出,预计纳米晶存储器越来越多的受到来自学术界的关注。本FAMOS FLOTOX ETOX SONOS TANOSby Intel by Intel by Intel by Saifun by Samsung
【学位授予单位】:上海交通大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2008
【分类号】:TP333
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