通用闪存控制器的设计

发布时间：2020-06-07 07:59

【摘要】：闪存是一种可长时间保持数据并且断电数据不丢失存储器,它的存储单元采用一种类似EPROM的单管叠栅结构,通过电信号可完成擦除。闪存具有存取速度高、易擦除和编程、功耗小、集成度高等优点。U盘、SM卡、SD卡、记忆棒等都是市场上重要的闪存产品。目前,在许多嵌入式产品中都集成了闪存模块。多家公司开发了各类闪存芯片,各个公司闪存接口基本相似,但有一些细微差别。所以开发通用闪存控制器IP具有较大的应用价值。 本文设计的通用闪存控制器IP由时钟分频模块、BCH码解码模块、配置寄存器模块、主控制器模块、串口NAND闪存控制器模块、并口NAND闪存控制器模块、NOR闪存控制器模块组成。本通用闪存控制器支持串口NAND闪存、并口NAND闪存和AMD公司NOR闪存,以配置寄存器方式来实现对不同闪存的控制。具有8位和16位数据通道,支持市面上8位和16位数据通道并口闪存。具有ECC纠错能力,本设计中用到的纠错码为BCH码,能纠正8位数据通道中一位随机错误和16位数据通道中的两位随机错误。本控制器工作时钟频率可调,以满足不同厂商串口NAND闪存工作频率,降低内部工作频率使通用闪存控制器运行更可靠。 通用闪存控制器IP在CycloneII FPGA开发板上进行调试,对开发板上的三星闪存进行了读、写、擦除等操作,证实了本控制器功能的正确性。
【图文】：

哈尔滨工业大学工学硕士学位论文ND闪存 闪存地址和数据总线是串行总线，所以它端口手机、数码相机中用到的外置存储器都是串口卡等。串口 NAND 闪存总线是串行的，，这就决 闪存要慢很多。华邦串口 NAND 闪存端口如出，华邦串口 NAND 闪存端口数只有 8 个，。图 2-1 中，CS 为片选端口；DO 为数据输出D 表示接地；DIO 为数据双向端口；CLK 为护端口；VCC 表示接电源。

图 2-2 SAMSUNG 并口 NAND 闪存端口图由图 2-2 可以看出，三星并口 NAND 闪存端口数比华邦串口 NAND 闪存端口数要多很多。图 2-2 中，IO0-IO7 为双向数据端口；CLE 为命令使能端-6-
【学位授予单位】：哈尔滨工业大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2009
【分类号】：TP333

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本文编号：2701115