提升相变存储器使用寿命的内存控制器优化技术研究
【图文】:
统计数据表明,在多数测试基准中,在 76% 的被更新过的缓存行中,“脏”字数量小于4 个。基于本文的系统配置(缓存行包含 8 个字,每个字为 8Bytes),我们进行了相同的实验内容。如图1 1所示,只有一个字被修改的脏缓存行比例,最低为 20%(liquantum),最高达到 63%(mcf)。总体上,一个缓存行中“脏”字数量的平均值最低为 1.88(mcf), 最高也只有 3.84(cactusadm)。总之,,在缓存行中实际被修改的数据是非常有限的。图 1 1 缓存行中的“脏”字数量基于如上事实,本文提出了 Partial-PreSET,一种基于 PreSET 的改进方案。Partial-PreSET 可以在提高系统写性能的同时,极大缓解 PreSET 造成的介质寿命缩短问题。PreSET 在缓存行第一次被修改时
行的写负载情况,其只是在一个固定的周期后,将一个特定内存行的内容写入相邻的内存行中,从而实现了负载均衡。Start-Gap 算法的硬件开销主要包括两个寄存器 Start 和Gap, 一个计数器以及一个额外的主存行 GapLine。其基本的执行流程如下图2 2所示。图ABCDEFGHIJKLMNOP012345678910111213141516StartGapABCDEFGHIJKLMNOP012345678910111213141516StartGapABCDEFGJKLMNOPI012345678910111213141516StartGapABCDEFGHIJKLMNO0P12345678910111213141516StartGap...H(a) (b) (c) (d)图 2 2 Start-Gap 算法[21]中2 2(a)的 PCM 内存系统包含 16 个主存行(0-15)。为了实现 Start-Gap,需要新增一个内存行 GapLine, 被标记为 16,其并不包含有效数据。17 个主存行构成一个循环队列。寄存器 Start 初始值为 0,代表队列被循环的次数。寄存器 Gap 的值表示当前 GapLine 的地址,初始值为 16。计数器 Counter 记录主存被写的次数,初始值为 0。为了实现磨损均衡,Start-Gap 算法设定了一个阈值 N。首先,如图2 2 (b) 所展示的
【学位授予单位】:上海交通大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TP333
【相似文献】
相关期刊论文 前10条
1 陈锟;小谈“双通道”[J];大众硬件;2004年02期
2 HJCBUG;;PAT技术深入解析[J];电脑自做;2003年09期
3 张海瑞;武丽;贾家宁;;基于FPGA的DDR2 SDRAM内存控制器设计[J];中原工学院学报;2013年04期
4 刘冬梅;祝永新;John Kwan;;面向高清媒体处理器的内存控制器的信号完整性验证方法[J];电子世界;2014年05期
5 ;小怪座谈[J];电脑爱好者;2004年12期
6 精神;集成内存控制器是Athlon64的软肋?[J];电脑;2004年02期
7 李鹏;王剑;曾露;王焕东;;多核片上系统主控式内存控制器预取[J];高技术通讯;2019年05期
8 小天二;;AM2和AM2+有啥区别[J];现代计算机(普及版);2008年10期
9 ;确保最佳的真实世界性能、功耗与带宽[J];电子设计工程;2016年04期
10 ;RAMBUS低成本wire bond封装DDR3内存 运行速度可达到1866MT/s[J];电子与电脑;2010年09期
相关会议论文 前2条
1 谢一丁;王蕾;王永文;龙恋;;多核系统中DRAM内存控制器与访存调度算法的研究[A];第十七届计算机工程与工艺年会暨第三届微处理器技术论坛论文集(下册)[C];2013年
2 张永志;宋宇鲲;;DDR2内存控制器指令重排技术的研究[A];2008通信理论与技术新进展——第十三届全国青年通信学术会议论文集(上)[C];2008年
相关重要报纸文章 前10条
1 IT时报 汪建君;英特尔推出至强可扩展处理器,整体性能提升达1.65倍[N];IT时报;2017年
2 本报记者 李觐麟;英特尔发布至强可扩展处理器[N];电脑报;2017年
3 魏铭;AMD处理器获得运营商青睐[N];人民邮电;2009年
4 本报记者 霍光 刘洪宇;多引擎推动计算变革[N];中国计算机报;2009年
5 祁金华;FB—DIMM再成讨论热点[N];网络世界;2007年
6 ;SLI 加入Intel阵营[N];中国电脑教育报;2005年
7 计算机世界实验室 李献;整合是未来[N];计算机世界;2008年
8 兰馨;双通道DDR简析[N];计算机世界;2004年
9 未来之路;AMD64位大戏谁捧场?[N];中国计算机报;2003年
10 ;即将上市的GeForceFX 5700Ultra[N];中国计算机报;2003年
相关硕士学位论文 前10条
1 陈林辉;片上网络中内存控制器布局方法的研究[D];北京交通大学;2019年
2 施扬;提升相变存储器使用寿命的内存控制器优化技术研究[D];上海交通大学;2018年
3 张波;基于UVM的LPDDR4控制器的验证[D];西安电子科技大学;2018年
4 武春锋;基于DDR4 SDRAM的光电图像实时存储技术研究[D];中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所);2018年
5 赵冠楠;基于FPGA的内存控制器的设计与应用[D];太原理工大学;2010年
6 张永志;DDR2内存控制器的模块设计和验证平台技术研究[D];合肥工业大学;2009年
7 邓丽;高带宽低延时的DDR2内存控制器的研究与实现[D];国防科学技术大学;2006年
8 潘杰;聚芯SoC高性能访存技术研究[D];中国科学院研究生院(计算技术研究所);2006年
9 黄晨;基于访存密度的内存控制器调度研究[D];华中科技大学;2015年
10 解咏梅;龙芯2号片外存储系统性能分析[D];中国科学院研究生院(计算技术研究所);2004年
本文编号:2710538
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/jisuanjikexuelunwen/2710538.html