基于ARM和Nucleus Plus的打印机设计与实现
【学位授予单位】:上海交通大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2008
【分类号】:TP334.8
【图文】:
符合 IEEE1149.1 的 JTAG 接口,更方便调试内核和 PLL 的操作电压范围 2.7-3.6V,2.7-5-40 - +85 C 的温度范围 存储器接口在本系统中,外部数据总线采用 16bit 的线宽,要错位,即 CPU 从 A1 开始与存储器的 A0 相连,使1 EEPROM 电路设计象大多数嵌入式系统一样,当系统需要一些默认一块 I2C 总线或三线串行总线的 E2PROM 来存储默数来初始化。本系统采用 ATMEL 公司的三线串行参数。
28图 4-1 SRAM 电路Fig. 4-1 SRAM circuit4.2.3 FLASH 接口Flash 即常说的闪存,一般是用来存放系统固件的,相对于过去常用的 EP其具有在线编程能力,不需要专用的编程器,也不需要特殊的编程电压,给用户了很大的方便。而且集成度也较之有很大的提高。闪存的读操作与 SARAM 是完全的,只是写操作要复杂些,在对闪存写入数据时,需要先写入一串命令字序列;口设计的角度,FLASH 与异步 SRAM/ROM 在接口设计上基本一致。目前市场上的 FLASH 从结构上大体可以分为 AND、NAND、NOR 和 DiNOR 等几其中 NOR 和 DiNOR 的特点为相对电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高,而和 AND 的特点为容量大、回写速度快、芯片面积小。现在,NOR 和 NAND FLASH 的最为广泛。NOR 的特点是可在芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应用程序可
【共引文献】
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本文编号:2729281
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