基于电阻态开关特性的二端有机非易失性存贮器研究

发布时间：2020-07-04 00:00

【摘要】：本篇论文介绍了二端电阻态有机存储器的分类和研究进展,以及几种典型的器件结构、制备方法及其开关机制。二十一世纪将是信息技术和物联网迅猛发展的时代,作为物联网的核心电子元件之一的存储器将发挥着举足轻重的作用。与传统无机存贮器相比,有机电阻态存储器既具备高的存储密度,快的存取速度、工艺兼容性好等优点又能制备在轻、薄、柔性和大面积低成本衬底上,在日新月异的信息技术和物联网发展中具有巨大的应用潜力。着重论述了基于八羟基喹啉镉[bis(8-hydroxyquinoline) cadmium]-(Cdq2)薄膜二端有机电阻态存贮器件的制备、开关机制和工作特性。我们首次发现结构为“铟锡氧化物(indium tin oxide)-(ITO)/Cdq2/Al"的有机二端器件具有较稳定的电阻态开关特性及以负微分电阻,并提出薄膜中聚晶的形成以及电场驱动下的聚晶陷阱能态的填充与清空是引起器件电阻态开关特性的原因。薄膜的原子力显微图表明大量由于分子积聚形成的颗粒均匀分散在非晶态薄膜中,有力支持了这一理论。进一步的研究表明,结构为"ITO/Cdq2/Al纳米颗粒/Al”以及‘'ITO/Cdq2/Cdq2与PTCDA的混和薄膜/Al”的器件具有更好的稳定性。PTCDA代表花四甲酸二酐(3,4,9,10-perylenete-acarboxylic dianhydride)。
【学位授予单位】：兰州大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2011
【分类号】：TP333

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前3条

1 时军朋,温振超,宋长安,陈殷,彭应全;八羟基喹啉锌非晶薄膜器件的制备和开关特性[J];半导体学报;2005年10期

2 路飞平;彭应全;宋长安;邢宏伟;李训栓;杨青森;;八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性[J];半导体学报;2007年07期

3 李训栓;彭应全;宋长安;杨青森;赵明;袁建挺;王宏;;酞菁铜(CuPc)薄膜器件的制备及其电双稳特性[J];真空科学与技术学报;2008年05期

本文编号：2740352