小规模星载固态存储器的研究与设计
【学位授予单位】:西安电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TP333;V443
【图文】:
西安电子科技大学硕士学位论文6 #RB2 状态输出 2 23 #WE3 写使能 3 40 #RE1读使能信号 17 #RB1 状态输出 1 24 #CE6 片选 6 41 #RE2读使能信号 28 #RB0 状态输出 0 25 #CE7 片选 7 42 IO4数据线 49 #RE0 读使能信号 0 26 IO11 数据线 11 43 IO5数据线 510 #CE0 片选 0 27 IO10 数据线 10 44 IO6数据线 611 #CE1 片选 1 28 IO9 数据线 9 45 IO7数据线 712 #CE2 片选 2 29 IO8 数据线 8 46 IO15数据线 1513 VCC 电源 30 IO0 数据线 0 47 IO14数据线 1414 VSS 地 31 IO1 数据线 1 48 IO13数据线 1315 #CE3 片选 3 32 IO2 数据线 2 49 IO12数据线 1216 #CE4 片选 4 33 IO3 数据线 3 50 #RE3读使能信号 317 CLE 指令锁存 34 #CE5 片选 5
图 2.3 FLASH 内部原理框图[10]FLASH 内部以页为单元进行数据的读写,以块地址为单位进行擦除,每一块由页构成,每一页由列构成,阵列地址最小单元由列地址组成,单片 FLASH 存储容量8192M+128Mbit,除了存储阵列外,FLASH 内部还包括指令寄存器、控制逻辑单元、I/O 缓存单元、I/O 驱动单元等,其中外部指令保存在指令寄存器中,外部输入片选信号、读写信号、地址使能、命令使能与控制逻辑单元相连接,I/O 驱动单元则对FLASH8 位 I/O 端口上数据进行驱动。
FLASH指令集合[10]
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本文编号:2743710
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