闪存存储器中的随机电报信号噪声的研究

发布时间：2020-07-11 07:06

【摘要】： 在半导体器件中,闪存存储器已经渗透到我们生活的各个方面。然而随着器件尺寸的持续减小,闪存存储器自身存在的一种缺陷——随机电报信号噪声(RTS)就会明显的表现出来,甚至会影响到我们读取信息的正确性。论文旨在研究随机电报信号噪声的产生原理,通过实验从量的角度将随机电报信号噪声表示出来,测出其大小,找出其特性,也研究了外界条件对随机电报信号噪声的影响。 本文通过对闪存存储器的基本结构以及工作原理的研究来分析随机电报噪声的产生原理;通过随机电报信号噪声的幅度和随机电报信号噪声幅度的快速傅立叶转换1/f噪声来研究随机电报信号噪声。随机电报信号噪声幅度可以通过漏极电流扰动或者门极电压变化来表示,然后将其结果进行快速傅立叶转换就可以得到我们所需要的1/f噪声。 本文主要运用LabVIEW编程软件根据需要来编译若干个子程序,从而控制半导体参数分析器,利用半导体参数分析器来配置闪存存储器各个极点的电压,并进行漏极电流和门极电压扰动的测量。通过大量实验研究,获得了用漏极电流和门极电压扰动表示的随机电报信号噪声幅度的实验结果,并与理论结果进行了对比分析。本文还研究了不同沟道长度的闪存存储器以及不同写入/擦除次数的闪存存储器对随机电报信号噪声的影响,实验结果与理论相符。
【学位授予单位】：西安电子科技大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2009
【分类号】：TP333.2

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本文编号：2750109