NorFlash在嵌入式系统中的仿真与应用
【学位授予单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2011
【分类号】:TP368.1
【图文】:
储技术和 EEPROM 技术十分相似,它们的主要差能擦除一个扇区(典型的扇区大小是 128B~16K一个字节一个字节地擦除,尽管如此,由于 Fl它还是比 EEPROM 更为流行,并迅速取代了很大、存储密度高、可靠性好等优先,决定了 Fl储大量数据。这里一般针对 NandFlash(Flash 会详细介绍到它,图 2.2 是 Flash 特点功能图。
07.3 SST39VF040 芯片结构框架SST39VF040 芯片 32 脚 TSOP 管脚配置入,决定了芯片的大小;D0~D7 是数芯片使能,用来控制整个芯片的片选态。OE#是输出使能,WE#为写使能。 WE#是用来控制地址和数据的锁存,源线,SST39VF040NorFlash 存储器
八,口1
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