低功耗微处理器体系结构的研究与设计
【学位授予单位】:西北工业大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2002
【分类号】:TP332
【图文】:
第一章绪论图1一1是IBS在2000年7月份对近几年来芯片生产采用工艺的统计和对未来几年的估计,可以看出芯片加工的主流工艺将越来越窄。图1一1芯片生产工艺对应产量的统计和预期随着芯片面积呈几何指数的增加,芯片内部的电场效应将越发明显,为了避免微小器件内的这种电场效应,同时也为了防止芯片过热,芯片的工作电压也会进一步下降,预计到2007年,芯片的工作电压可以降低到0.9V。半导体工艺的飞速发展带来了芯片密度的增加、电路工作速度的提高,但这这些因素使得集成电路功耗的明显增加,因此芯片的散热措施也不断更新,从改变封装形式到添加散热装置
第一章绪论图1一1是IBS在2000年7月份对近几年来芯片生产采用工艺的统计和对未来几年的估计,可以看出芯片加工的主流工艺将越来越窄。图1一1芯片生产工艺对应产量的统计和预期随着芯片面积呈几何指数的增加,芯片内部的电场效应将越发明显,为了避免微小器件内的这种电场效应,同时也为了防止芯片过热,芯片的工作电压也会进一步下降,预计到2007年,芯片的工作电压可以降低到0.9V。半导体工艺的飞速发展带来了芯片密度的增加、电路工作速度的提高,但这这些因素使得集成电路功耗的明显增加,因此芯片的散热措施也不断更新,从改变封装形式到添加散热装置
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【引证文献】
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本文编号:2757892
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