嵌入式系统中大页NAND Flash应用研究

发布时间：2020-07-16 19:26

【摘要】： 在消费类电子领域,经常要用到NAND Flash存储器,特别是ARM嵌入式系统更是不可少,Flash通常分为NOR FlaLsh和NAND Flash,出于成本考虑,现在的ARM都支持NAND Flash启动;目前在PMP类和GPS类终端设备中特别是ARM开发板中,所采用的Flash大多都是64MB,受MP3、播放器影响,大页(2k/page)Flash出货量大,同容量价格反比小页NAND低;OEM工厂和外贸公司对BOM成本很敏感,Cost Down时紧紧订住NAND Flash,由于最初方案都是64MB,在GPS行业至今尚没大页NAND Flash的整体解决方案公布,于是成就了本文。大页NAND Flash的的优点是读取速度明显比小页的要快,快2倍左右,这样赢得了宝贵的启动时间,以住需要20s左右,现在＜10s,给最终用户带来的快速体验感觉。多余的NAND Flash做成FAT优盘后可以存放大尺寸文件,如帮助手册、操作手册、使用说明等,在GPS中还可以装载地图省却SD卡、SD卡座以节省成本,并提高集成度、可靠性。针对NAND Flash的存储结构和物理特性,先后用两种方法尝试扩展NANDFlash的容量,起初是完全按大页的存储结构2k/page进行操作,后来是保持接口函数不变的前提下把大页当成多个小页来操作,结果发现后者更易实现,稳定性更好。本文先从Jtag烧写着手,逐渐实现bootloader的启动、FMD驱动,经历前后两年时间的稳定性测试验证才得以最终走向行业应用,明显提高产品性价比。开发环境:S3C2440A+WINCE5.0+Evc4.0+VC6.0+ADS1.2。
【学位授予单位】：吉林大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2008
【分类号】：TP333-2
【图文】：

页存储,页地址,指针,模式

l、页存储结构(以KgFI208为例)IDeviee=4O96Bloek*32Page*512Bytes表3.1小页地址定义AAAddressssDefinitionnnAAAO一A777ColumnAddressssAAAg一A2666PageAddressssAAAg一A1333AddressinBloekkkAAA14一A2666BloekAddressssAAA888AS高或低由OOhorOlh指针命决定，在x16模式式中中中无效

页存储,地址,周期

CCCommandddBusWriteOperations(’)))Commanddd······················aeeePtedduringgg111115，CYCLEEE1”dCYCLEEElr‘，CYCLEEEbusyyyRRReadAAA00hhhhhhhhhRRReadBBBOlh(2)))))))))RRReadCCCSOhhhhhhhhhRRReadEleetronieSignatureeegohhhhhhhhhRRReadStatusRegisterrr70hhhhhhhYesssPPPageProgrammmSOhhhIOhhhhhhhCCCoPyBaekProgrammm00hhhSAhhh10hhhhhBBBloekEraseee60hhhDohhhhhhhRRResetttFFhhhhhhhYeSSS3.2大页存储结构和地址周期(以K9FIG08为例)

电路图,电路,物理结构,实际应用

第3章大小页NAND的物理结构在实际应用的电路中，给出以下推荐原理图，只要简单的焊接上下拉电阻就可以方便的切换出大小页状态，以适应各种不同的NANDFlash。

【引证文献】