NBTI效应下RISC-V处理器老化预测技术
【学位授予单位】:哈尔滨工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TP332
【图文】:
图 2-3 ΔVth 变化曲线.2 门级电路失效分析在上一节中分别对静态 NBTI,动态 NBTI 以及长时 NBTI 三种失效模行了详细的分析,本节将以此为基础来对本设计中所涉及的工艺库基本单行失效分析。由集成电路知识可知,门级网表是由所指定工艺库中的基本搭建而成,故本文从小模块出发,最后达到对整个电路进行老化模拟的。本节的重点是从理论出发,得到 NBTI 失效机理与基本单元延时之间的,从而证实利用上节中失效模型对 PMOS 管进行老化模拟仿真的可行性面将以反相器以及 D 触发器为例,对其失效后的参数变化进行理论分析。.2.1 反相器老化分析失效机理作用在反相器上将会导致反相器的性能退化,本节中将主要研BTI 失效机制对其延时产生的影响。由集成电路知识可知,反相器的传输
瞬态仿真输入图
瞬态仿真输出图
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本文编号:2791180
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