多端口SRAM的测试与诊断技术研究

发布时间：2020-08-21 10:50

【摘要】：嵌入式SRAM是片上系统(SoC)中集成度最高的元器件,且SoC的支配主体也从逻辑部件转变为存储器,多端口SRAM能通过不同的端口对存储单元进行同时存取,被大量应用在各种SoC中。因此研究嵌入式多端口SRAM的内建自测试、自诊断具有重要的意义,它是实现故障修复,提高SoC成品率的关键技术。 本文以嵌入式多端口SRAM的内建自测试与内建自诊断技术为研究内容。首先,介绍了嵌入式存储器内建自测试、自诊断技术的研究背景、意义,总结了国内外研究现状和发展前景等。其次,为快速测试嵌入式多端口SRAM端口间的故障,提出一种基于结构故障模型的故障测试算法:w-r算法和w-w算法。w-r算法由March C-算法扩展得到,即让一个端口执行March C-算法的同时另一个端口于偏移量为±2的地址并行执行伪读操作,能有效测试两个读端口及一个读端口与一个写端口之间的故障,并考虑存储器的规则结构给出了其简化算法;w-w算法可有效激发两个写端口之间的各种故障,并使之适用于不同物理布局的存储器,在保证时间复杂度合理的前提下提高了端口间的故障覆盖率。然后,为详细诊断嵌入式多端口SRAM的端口间故障,又提出一个高效的多端口SRAM故障诊断算法DDA,此算法由WDDA和BDDA两部分组成,能分别详细地诊断字线间和位线间的故障类型及位置,为故障修复以及存储器的生产制造提出恰当建议。最后,通过将故障注入到32×8位的双口SRAM中,运用构建的内建自测试(BIST)系统执行算法,仿真实验表明:一旦故障被测试算法检测出来,DDA算法能详细定位故障类型和位置,验证了其时间复杂度低,具有100%的端口间故障覆盖率及详细的故障类型诊断,实现了对嵌入式多端口SRAM快速测试、详细诊断的功能。 整个系统运用VHDL编码实现,利用Xilinx ISE集成的XST工具综合,调用ModelSim SE软件进行时序仿真,验证方案的可行性。
【学位授予单位】：南京航空航天大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2011
【分类号】：TP333
【图文】：

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端口 SRAM 的故障测试展开研究，所以先介绍双端口 SRAM统的认识。双端口 SRAM 包括与时钟异步的类型和与时钟同M 在从左右两个端口向同一地址访问发生冲突时，利用 BUSY型双端口 SRAM 的各引脚信号都是利用时钟进行采样操作，不。本文介绍异步类型双端口 SRAM 的工作原理，如图 1.2 所

有的器件将赋予 LEFT 端口访问的权限，而向有的器件会赋予 RIGHT 端口访问的权限，而向 LEFT 端（M/S）信号功能，以从属器件追随主器件的仲裁功能的RAM 允许通过两个端口同时对存储单元进行存取，它的存倍。目前，这种存储器已被广泛的应用在多处理器系统、当中，另外在不同时钟域下的数据通信等场合也得到了广介绍电路存储数据，通过在字线和位线上施加电压和电流可以不同，SRAM 主要有 3 种形式的存储单元[5]：采用 PMO利用大电阻 HRL（high resitive load）作负载的存储单元ransistor）作负载的存储单元。用电阻作负载的存储单元静的场合。用薄膜晶体管作负载可减小单元面积，但电流驱压上应用较为广泛。本文简单介绍标准 8 管 CMOS 型存

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本文编号：2799285