低成本,低功耗,高集成度的单片机电源系统设计
【学位授予单位】:复旦大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2011
【分类号】:TN402;TP303.3
【图文】:
在室温即30OK附近时,大约为一2.2mV/℃。而对于两个电流密度不同的晶体管,其△vBE则可推算出:△株:二kT,,Jt,,、—Int—)q’去2’其温度系数为:她珠:日T二兰inT弄,、,、.」、一~、.,,、.~、_卜一、,_、l,,_吮二),以八甲多戮计异,嵌但刀一止数。JcZ这样,只要我们选取适当的比值,即可获得一个与温度无关的电压基准。本例中采用的具体电路如下:
内部存在很多对平均电平敏感的电路,因而第然选择第一种电路架构,针对其电平跳变情况分析如下:令电路工作在高功耗的通常模式下,负载电流在15mA与100电平的最高与最低值,然后令电路自高功耗模式切换至低功电平的最高与最低值(高功耗模式下负载15mA,低功耗着在低功耗模式下,令负载电流在100林A与1林A间切换,最高与最低值,最后令电路自低功耗模式切换回高功耗模式高与最低值。
25’C,负载电流15mA,Normal工作模式瞬态仿真如图,电路在4.5V下启动,工作于通常模式下,空载。输入电平自4.5V缓慢下降至2.5V,电荷泵电路工作方式由电平检测电路自动切换,在输入高于4V时关闭电荷泵,低于4V时打开电荷泵并置于1.5倍压,低于3V时切换为2倍压。故VG电平在图中出现两次跃升,而在此过程中,VOUT电平并不受其影响,恒定于1.8V输出。表巧整体电路瞬态仿真数据TemPPPTRIsEEEVPPPPVMINNNVM从从I削0000I蒯01.555I脚02.000IMAx1555IMAX2.。一40001.79E一04447.93E一03331.80001.8111一1.08E一0444一1.2lE一0444一1.1IE一0444一8.75E一0444一4.55E一0222225551.3IE一04446.glE一03331.81111.8222一1.09E一0444一1.24E一0444一1.14E一0444一7.58E一0444一4.o6E一0888885551.06E一04446.62E一03331.81111.8222一1.IOE一0444一1.26E一0444一1.I6E一0444一6.52E一0444一3.75E一04一40001.78E一04447.64E一03331.80001.8000一1.08E一0444一1.22E一0444一1.1IE一0444一1.05E一0333一6.o7E一0222225551.30E一04446.65E一03331.80001.8111一1.09E一0444一1.24E一0444一1.14E一0444一9.22E一0444一4.93E一0888885551.06E一04446.72E一03331.80001.8111一1.IOE一0444一1.27E一0444一1.16E一0444一8.29E一0444一4.69E一0一40001.79E·04448.87E一03331.81111.8222一1.08E一0444一1.2lE一0444一1.1IE一0444一7.38E一0444一3.glE一0222225551.3IE一04447.53E一03331.83331.8333一1.14E一0444一1.24E一0444一1.14E一0444一6.36E一0444一3.48E一0888885551.OSE一04446.90E一03331.83331.8444一1.20E一0444一1.26E一0444一1.16E一0444一5.45E一0444一2.9IE一0一40001.78E一04447.75E一03331.80001.8000一1.07E一0444一1.21E一0444一1.10E一0444一8.58E一0444一4.34E一
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