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引入flash的多层次存储结构研究与实现

发布时间:2020-11-14 22:06
【摘要】: 在整个计算机系统中,存储系统已成为一大瓶颈,传统的磁盘因为它巨大的延迟越来越不能满足应用的需求。新近发展起来的Flash存储介质因为延迟小、功耗低、质量轻,能在恶劣环境下工作,受到存储界的青睐。但是目前,Flash的容量无法与磁盘相比,价格也很高,完全用Flash构建存储系统是不经济的。因此,用Flash和磁盘构建混合的存储系统具有重大意义。 本研究针对大型存储系统中的I/O结点,在传统的存储器层次结构中引入Flash,构建一个混合的存储系统。整个工作分三部分。第一部分设计了一种高效能、自适应的缓存替换策略,用来管理存储层次中的DRAM。该策略具有常数的时间复杂度。尽管具有一定的计算量,但是,由于该策略专用于计算资源较充足的存储系统,增大计算量换取更高的命中率是值得的。第二部分设计了DRAM-Flash二级缓存的管理策略,该策略的目的是用Flash扩展DRAM。因为Flash比DRAM便宜,该策略实质上是用一种经济的方法增大了主存容量。第三部分构建了混合辅存结构,这部分的工作包括设计高性能的SSD、研究SSD和磁盘的协同原理、制定辅存中的数据预取机制。三个部分从上到下,涉及到混合存储系统的各个层次,是一个完整的系统,重点研究了整个混合存储系统中各级之间的缓存替换与预取策略。
【学位授予单位】:国防科学技术大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2009
【分类号】:TP333
【图文】:

存储单元,芯片,磁盘,写延迟


对 NAND Flash、DRAM 和磁盘的性能进行了比较小的多,容量也大;比起磁盘,Flash 的读写延迟磁盘,但可通过增强并行性来弥补。总之 Flash 的决定了本研究中 Flash 在多层次存储结构中的位置表 1.1 DRAM、Flash、磁盘性能比较功耗读延迟 写延迟 擦运行 空闲DR2AM878mW 80mW 55ns 55ns AND (SLC)27mW 6μW 25μs 200μs Diskive13W 9.3W 8.5ms 9.5ms 究现状 的以上特性,学术界主要作了以下几个方面的研究

替换策略


图 2.1 FBR 替换策略主要针对数据库中的关联访问。所谓关联访问的多次请求,如数据库中对某一条记录的“查有多次请求,但并不说明数据是频繁使用的,有效的识别关联访问,它记录每一页过去第 K离”,并用这个“时间距离”组织优先级队列换出去。关联访问一般限制在两三次之内,被屏蔽。当 K 取 1 时, LRU/K 策略就是 LR是高效的,但它的时间复杂度是 O(logn)。队列,如图 2.2 所示,A1in、A1out、Am。A中时只对它作标记,表示已被使用。Am 是复使用过的。A1out 接受从 A1in 淘汰出来的页

替换策略,历史信息


图 2.2 2Q 替换策略好的策略,策略本身因其自适应性而得名。使用页”和“多次使用页”,然后组织四条1 装载“一次使用页”,L2、B2 装载“多次中,B1、B2 记录历史信息。一页数据刚进任何一页数据被重复使用后都放到 L2 的头淘汰到 B2 中。若一页缺失并在 B1 中发现的页;若一页缺失并在 B2 中发现它的历史RC 正是这样根据历史信息的反馈来自适应于备 scan-resistant 的性质。为了维护历史信息的大小分别和 L2 和 L1 对应。尽管有额外的空间不到主存空间的百分之一,为了获得更得的。由于都是 LRU 队列,额外的两条队列工业界的认可,被 ZFS 采用。
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本文编号:2883999

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