PCM混合内存系统的自适应动态地址重映射

发布时间：2020-12-12 12:33

　　相位存储器(PCM)具有优良的可扩展性,非常有希望成为未来大规模主存的构成材料。但是它的写寿命比较有限。在应对此问题方面国内外展开了一些研究,包括将对PCM的写均匀分配到所有单元的负载均衡方法和减少对PCM写操作的写减少方法。有研究提出了一种新的混合内存结构,其中PCM作为主存,而DRAM作为PCM的缓存。这种方法能够同时利用DRAM的访问速度快的优点和PCM的大容量优点,是未来基于PCM的存储结构的一个较好选择。DRAM缓存的利用率和命中率高才能减少对PCM的写操作,如果一个恶意的程序通过某种方法产生持续的、从DRAM到PCM的回写,也会快速消耗PCM的寿命。文中展现了一种利用传统组相联缓存结构刻意设计的PCM寿命攻击程序。为了应对此种攻击,我们提出静态随机地址重映射(SRAR)方法,它在PCM物理地址和DRAM高速缓存之间又增加了一层中间地址。中间地址和DRAM缓存之间的关联遵循组相联关系,而物理地址到中间地址之间将执行一个开机时随机确定的重映射过程,从而将物理地址和DRAM之间的映射关系隐藏起来,以对抗基于组相联关系的攻击。采用SRAR方法,当操作系统被劫持后,PCM和DRAM之... 

【文章来源】：上海交通大学上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：64 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

PCM设备[10]

PCM 混合内存系统的上（但低于熔化温度）能够使它转化为结晶状态作由中等功率且持续时间长的电脉冲控制，它将状态在逻辑上代表 1。对该材料加热到融化然后，它使材料转化为非晶状态，该状态在逻辑上代控制,它将该内存单元置于高电阻状态。外界可检测设备阻抗的方式从 PCM 中读取数据。PCM 使 PCM 能有此功能的关键特性之一是它的阈值晶状态，需要非常高的电压提供高功率。但是，时候，非晶状态材料的电导率迅速增加从而产生果这个高电流脉冲关闭，则材料冷却，回到高阻

混合Fig.2-1hybridm


本文编号：2912566