高性能处理器电流测试研究

发布时间：2020-12-17 05:53

　　处理器芯片广泛用于各类便携式仪器仪表和消费电子设备中,其耗电性能的好坏直接影响整机的可靠性和寿命。对于总体系统设计而言,电流测试在设计中的地位已变得越来越重要。本文针对高性能处理器芯片的电流测试技术和电流标准的设定条件开展了深入研究。论文全面阐述了处理器芯片电流测试的基本原理和各种电流(开路、短路、静态、动态)测试的测试方法;深入介绍了自动测试仪器(Pin Scale93K)的硬件环境、软件环境、系统文件以及测试体系。在此基础上,重点研究了芯片在各种不同的工作模式下的电流测试。开发了芯片电流测试程序。设计了在不同条件下的芯片测试实验,通过收集数据并进行统计分析,比较不同的测试边界对产品良品率的影响,最终修改了原有的电流测试边界,重新设定了更加严格的电流测试标准。使得公司产品i.MX35处理器在保证客户正常使用的前提下,也最大限度地减小了产品良品率的损失。同时,也为今后芯片电流测试边界设定的优化研究打下了基础。 

【文章来源】：天津大学天津市 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：62 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

i.MX35图像处理功能对音频系统的全面支持是i.MX35的又一特色：不仅可以通过MediaLB外接

钳制设置

对Source是高阻的状态，如图2-2，在D-S没有正向偏置，G-S反向偏置，导电沟道打开后，D到S才会有电流的流过，但实际上由于自由电子的存在，自由电子的附着在SiO2和N+，导致D-S有漏电流，此漏电流就是IDD。在COMS电路中称为IDD


本文编号：2921518