坡莫合金畴壁磁电阻效应的研究

发布时间：2021-01-13 16:27

　　在科技发展日新月异的今天,基于磁畴壁器件的相关研究正逐渐引起人们的关注。与磁畴壁相关的新型器件已经在诸如新型存储器、磁传感器件等领域有了广阔的应用前景。然而,在畴壁机制相关的研究领域方面,人们基于畴壁运动对畴壁进行精确的定位仍然十分困难,对于畴壁磁电阻对磁电阻效应的影响也尚不明确,这些都对于与畴壁相关器件的设计十分重要。本文通过设计一种Co/Py横向异质结结构,对畴壁的位置进行了确认,并通过掺杂不同元素,分析了畴壁磁电阻的变化。第一章绪论部分主要介绍了磁存储器技术的当前进展以及这期间所遇到的相关问题,磁电阻效应的概述和分类,磁畴与畴壁的相关知识,并论述了在磁畴壁研究当中畴壁位置的定位问题以及畴壁磁电阻是增加了磁电阻效应（正向的畴壁磁电阻）还是减少了磁电阻效应（负向的畴壁磁电阻）。第二章主要介绍Co/Py横向异质结结构的制备工艺和测试方法。在实验中,我们主要采用了磁控溅射工艺、掩膜版技术、离子束刻蚀工艺等微加工相关技术,我们详细介绍了与此相关的仪器设备的工作原理与工作流程,并对其中的注意事项进行了总结。此外,我们在微加工技术的基础上对实验流程进行了一定的改进,使之更符合当前的实验条件。样... 

【文章来源】：安徽大学安徽省 211工程院校

【文章页数】：72 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
第一章 绪论
    1.1 引言
    1.2 磁电阻效应
        1.2.1 正常磁电阻效应（OMR）
        1.2.2 各向异性磁电阻效应（AMR）
        1.2.3 巨磁电阻效应（GMR）
        1.2.4 隧道磁电阻效应（TMR）
    1.3 畴壁
        1.3.1 磁畴
        1.3.2 畴壁
    1.4 本论文的选题背景和主要研究方向
        1.4.1 畴壁位置的确认
        1.4.2 畴壁磁电阻的变化现象
第二章 薄膜样品的制备流程
    2.1 掩膜版的设计
    2.2 硅片的清洗
    2.3 磁控溅射镀膜
        2.3.1 磁控溅射原理
        2.3.2 磁控溅射设备
        2.3.3 磁控溅射镀膜系统的操作步骤
        2.3.4 磁控溅射镀膜流程
    2.4 离子束刻蚀
        2.4.1 覆盖掩膜版
        2.4.2 离子束刻蚀
        2.4.3 等离子清洗
        2.4.4 制备顶电极
    2.5 样品切割
    2.6 薄膜样品的测试
        2.6.1 振动样品磁强计（VSM）
        2.6.2 磁电阻测试
        2.6.3 磁光克尔显微镜
第三章 结果与讨论
    3.1 Co/Py横向异质结结构样品的畴壁磁电阻
    3.2 在Py中掺杂了Cr、Cu的Co/Py横向异质结结构样品的畴壁磁电阻变化
第四章 总结与展望
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间发表的学术论文和专利


【参考文献】：
期刊论文
[1]赛道存储器移动操作的温度模型及控制策略[J]. 张超,孙广宇,张学莹,赵巍胜.  计算机研究与发展. 2017(01)
[2]磁性材料的磁结构、磁畴结构和拓扑磁结构[J]. 张志东.  物理学报. 2015(06)
[3]各向异性磁电阻材料的研究进展[J]. 皇甫加顺,盛树,李宝河,于广华.  中国材料进展. 2011(10)
[4]磁畴观测方法现状与展望[J]. 许启明,张振彬,杨永明.  磁性材料及器件. 2010(04)
[5]基于磁光克尔效应的磁畴观测与处理系统[J]. 张振彬,许启明,杨永明.  磁性材料及器件. 2010(02)
[6]隧道磁电阻效应的原理及应用[J]. 吉吾尔·吉里力,拜山·沙德克.  材料导报. 2009(S1)
[7]磁控溅射镀膜技术的发展[J]. 余东海,王成勇,成晓玲,宋月贤.  真空. 2009(02)
[8]磁阻随机存取存储器（MRAM）的原理与研究进展[J]. 吴晓薇,郭子政.  信息记录材料. 2009(02)
[9]磁电阻效应的原理及其应用[J]. 张海峰,刘晓为,王喜莲,霍明学.  哈尔滨工业大学学报. 2008(03)
[10]半导体光刻技术及设备的发展趋势[J]. 姚达,刘欣,岳世忠.  半导体技术. 2008(03)



本文编号：2975191