一种高速大容量存储系统设计

发布时间：2021-01-30 23:33

　　随着军用电子装备中数据存储密度的不断增长,基于NAND FLASH的存储技术发展为一个重要的研究方向。文章设计了一种高速大容量存储电路,以FPGA为控制核心,通过对NAND FLASH阵列的逻辑控制实现数据的高速存取。提出了位拓展、流水线、multi-plane操作以及坏块管理等关键技术。经过试验验证,该存储系统性能稳定、可靠性高、能够完成大量原始数据的高速记录,保证了数据记录的实时性。 

【文章来源】：信息通信. 2020,(09)

【文章页数】：3 页

【文章目录】：
0 引言
1 存储系统硬件设计
2 基本功能与命令序列
    2.1 擦除及编程操作
    2.2 读操作
3 FLASH操作关键技术
    3.1 提高写入速率的策略
        3.1.1 位拓展
        3.1.2 Multi-Plane编程操作
        3.1.3 流水线技术
    3.2 坏块管理
4 结语


【参考文献】：
期刊论文
[1]基于FPGA的NAND Flash ECC校验系统设计与实现[J]. 王轩,常亮,李杰.  电子设计工程. 2018(18)
[2]基于NAND Flash的高速大容量存储系统设计[J]. 代明清,边庆,周啸,赵谦.  电脑知识与技术. 2018(13)
[3]支持ONFI协议的NAND Flash控制器设计[J]. 张远航,宋鹏程,张亚朋,郑哲,张春.  微电子学与计算机. 2017(05)
[4]基于FPGA控制的高速大容量NAND FLASH存储模块设计[J]. 彭卓文,杨新民,王胜红.  电子设计工程. 2017(07)
[5]基于NAND Flash的高速大容量存储系统的设计[J]. 赵亚慧,金龙旭,陶宏江,韩双丽,张敏.  电光与控制. 2016(05)
[6]NAND Flash存储关键技术[J]. 刘航航,李晓颖,杨云刚,薛小乐.  弹箭与制导学报. 2016(01)



本文编号：3009783