MAHOS结构电荷俘获型存储器研究

发布时间：2021-02-01 11:31

　　目前,Flash Memory在非易失性半导体存储器市场上占有很大的份额,因为它具有高密度、低功耗、小体积和高可靠性等优点。但是随着微电子技术节点的不断向前推进,尤其是器件尺寸减小到45nm、32nm技术节点时,传统的浮栅结构Flash Memory在可缩小性方面受到严重的制约。在这种情况下,分立式电荷存储技术将尽可能的把Flash技术向更高的技术代推进。分立式电荷存储技术有三种设计方法,第一种是引入纳米晶作为电荷存储点；第二种是利用化合物本身的深能级缺陷作为存储点,即电荷俘获型存储器；第三种是纳米晶和电荷陷阱介质两种的混合。本文的主要研究内容是电荷俘获型存储器。与传统的浮栅存储器相比,其隧穿层局部的漏电通道只会造成少数区域的漏电,具有很好的器件性能。文中首先介绍了Flash Memory的研究背景,包括Flash Memory的由来,应用与市场,以及Flash Memory的现状和发展趋势,并对Flash器件的结构、工作原理和一些通用的存储器性能参数做了介绍。其次,为了缓解传统Flash Memory尺寸缩小受限问题,我们研究了采用分立式存储电荷方法的电荷俘获型存储器,并对电荷俘获存... 

【文章来源】：安徽大学安徽省 211工程院校

【文章页数】：69 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
目录
第一章 绪论
    §1.1 Flash Memory的由来
    §1.2 Flash Memory的应用和市场
    §1.3 Flash Memory的现状和发展趋势
    §1.4 本文组织结构
第二章 浮栅器件工作原理与性能参数
    §2.1 浮栅Flash器件结构与工作原理
    §2.2 阈值电压分析
    §2.3 浮栅Flash器件的电荷输运机制
        §2.3.1 沟道热电子注入（Channel Hot Electron Injection）
        §2.3.2 Fowler-Nordheim隧穿（F-N Tunneling）
        §2.3.3 直接隧穿
    §2.4 评价非易失性存储器的性能参数
    §2.5 非易失性存储器的可靠性
        §2.5.1 耐受性
        §2.5.2 数据保持特性
    §2.6 本章小结
第三章 电荷俘获存储器件（CTM:charge trapping memory）结构与性能分析
    §3.1 电荷俘获型存储器结构和特点
    §3.2 电荷俘获型存储器中俘获层的研究
        §3.2.1 改进的氮化硅俘获层
        §3.2.2 高k介质材料俘获层
        §3.2.3 引入纳米晶材料的俘获层
    §3.3 本章小结
第四章 MAHOS结构MOS存储电容的制备与测试
    §4.1 MAHOS结构MOS存储器
        §4.1.1 实验制备
        §4.1.2 电荷存储特性测试方法
            §4.1.2.1 C-V测试
            §4.1.2.2 G-V测试
            §4.1.2.3 I-V测试
            §4.1.2.4 C-t测试
    §4.2 MAHOS结构测试结果分析与讨论
    §4.3 本章小结
第五章 总结与展望
    §5.1 总结
    §5.2 对未来研究的展望
参考文献
致谢
攻读学位期间发表的学术论文


【参考文献】：
期刊论文
[1]电荷俘获存储器中俘获层的研究进展[J]. 李德君,刘明,龙世兵,王琴,张满红,刘璟,杨仕谦,王永,杨潇楠,陈军宁,代月花.  微纳电子技术. 2009(09)

硕士论文
[1]纳米晶浮栅结构先进存储器的研究与模拟[D]. 宁润苏.电子科技大学 2009



本文编号：3012701