应用于下一代数据中心高压直流配电系统中的高频软磁铁氧体器件

发布时间：2021-02-14 15:52

　　作为数据中心大国,我国数据中心建设飞速发展。与数据中心节能、安全密切相关的高压直流（HVDC）配电系统研究成为热门课题。基于氮化镓（Ga N）、碳化硅（SiC）的第三代半导体器件,是HVDC配电系统LLC谐振变换器的首选电路拓扑,降低高频铁氧体变压器的功率损耗对该电路的效率提升起着极为重要的作用。介绍了国外应用于该电路的高频铁氧体磁性材料的研发状态,及降低变压器绕组导线损耗的研究成果。 

【文章来源】：磁性材料及器件. 2020,51(05)

【文章页数】：7 页

【部分图文】：

MC2铁氧体材料的功率损耗特性：(a)与温度的关系，(b)与磁通密度的关系

图6 日立金属的几种高频低损耗材料

从图中可以看到，500 k Hz、100 m T条件下，25℃、80℃及100℃的功率损耗分别为783m W/cm3、656 m W/cm3及704 m W/cm3。从研究水平来看，目前性能最好的高频低损耗Mn Zn铁氧体材料可以达到如下技术指标：功率损耗低至87 m W/cm3(1 MHz,50 m T,85℃)和319 m W/cm3(3 MHz,30m T,85℃)[11]。4.2 变压器绕组


本文编号：3033503