基于栅氧化层损伤EEPROM的失效分析

发布时间：2021-03-12 18:23

　　随着超大规模集成（VLSI）电路的发展,芯片结构及工艺变得日益复杂,同时给失效分析工作带来了挑战。内嵌式存储器作为片上系统（SOC）内部模块的重要组成部分,其具有结构复杂、密度高等特点,常规的失效分析手段难以准确定位其失效模式和机理。介绍了红外发光显微镜（EMMI）、电压衬度（VC）、去层、聚焦离子束（FIB）的分析原理及组合失效分析技术。针对传统分析手段的不足及局限性,提出了采用一种选择性刻蚀方法对栅氧化层的微小缺陷进行定位与分析。研究结果表明,该方法对分析栅氧化层击穿等缺陷损伤具有明显的优势,可以减少分析时间并提高失效分析成功率。 

【文章来源】：半导体技术. 2020,45(01)北大核心

【文章页数】：5 页

【部分图文】：

失效样品的红外EMMI照片

合格样品的红外EMMI照片

SEM观察漏电位置时,结合晶体管特性采用电压衬度(VC)观察方法,对样品表面电势进行扫描。VC技术是利用样品表面高低不同的电势对其表面的二次电子发射率产生影响这一现象,通过调整样品表面的二次电子的发射,最终将样品表面形貌衬度和VC叠加在一起,产生明暗对比明显的图像的一项技术[6]。图7 金属层1的VC图像

【参考文献】：
期刊论文
[1]由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析[J]. 刘楠,刘大鹏,张辉,祝伟明.  半导体技术. 2015(06)
[2]聚焦离子束（FIB）及其应用[J]. 韩伟,肖思群.  中国材料进展. 2013(12)
[3]FIB与PEM联用在半导体器件失效分析中的应用[J]. 辛娟娟,韦旎妮,刘抒,黄红伟,叶景良.  半导体技术. 2010(07)
[4]红外发光显微镜及其在集成电路失效分析中的应用[J]. 张滨海,方培源,王家楫.  分析仪器. 2008(05)
[5]电压衬度像技术在IC失效分析中的应用[J]. 陈琳,汪辉.  半导体技术. 2008(07)
[6]双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证[J]. 黄飞鸿,郑国祥,吴瑞.  半导体学报. 2003(06)

硕士论文
[1]失效分析技术应用研究[D]. 李阿玲.复旦大学 2014



本文编号：3078765