3D-Xpoint相变存储器读写控制方案及外围电路设计

发布时间：2021-03-15 00:56

　　传统存储器在发展上遇到经济与技术方面的瓶颈,3D-Xpoint相变存储器作为新型存储器之一,极有可能成为下一个存储器发展热点。与传统相变存储器相比,3D-Xpoint相变存储器在阵列结构和操作方式上都有了很大不同:传统相变存储器中存储单元通常为1T1R结构,是三端器件,选通激励与编程激励可同时施加在存储单元的不同端口;3D-Xpoint相变存储器存储单元为1S1R结构,是两端器件,所需选通激励与编程激励类型不同,在进行操作时仅能从存储单元两端输入激励。同时由于3D-Xpoint相变存储阵列密度增大,阵列的寄生电容较传统相变存储器更大,应用传统相变存储器读写方案及其外围电路进行读、写操作的延时较大。因此需提出一种适用于1S1R相变存储单元的读写控制方案,并基于该读写控制方案设计外围电路实现3D-Xpoint相变存储器的快速读、写、擦功能。本文首先根据3D-Xpoint相变存储阵列特性及架构特点,建立了3D-Xpoint相变存储阵列的Verilog-A行为级模型。然后根据3D-Xpoint相变存储器中存储单元的操作方式及结构特点提出了1S1R相变存储单元读写控制方案。该读写控制方案提出了通... 

【文章来源】：华中科技大学湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

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【学位级别】：硕士

【部分图文】：

1S1R存储单元物理

相变存储器件模型伏安特性曲线图

x2x2bit3D-Xpoint存储器模型图


本文编号：3083271