应用于安全SRAM中全集成LDO的研究与设计

发布时间：2021-03-30 02:31

　　由于静态随机存储器（SRAM）在低温下存在着数据残留隐患。目前,研究SRAM自身安全性问题已经成为安全系统研究、安全存储研究的一个重要发展方向。针对这个问题,通过检测到SRAM掉电来对SRAM信息进行擦除来达到信息保密的目的。LDO由于具有电路相对简单、功耗较低、输出纹波小、不产生辐射干扰、较高的电源抑制比等优点,作为本文主要的设计问题,应用于安全SRAM电源管理电路中。本论文主要讨论了一种全集成低压差线性稳压器的分析与设计,首先对未补偿时系统的交流特性和瞬态特性行了分析,针对嵌套密勒补偿结构存在的问题以及设计中需要考虑的若干折衷,提出了一种综合了电流反馈补偿和自调整相位裕度的新系统结构。本文的研究重点在于低压差线性稳压器的在不同负载情况下的稳定性的分析,详细介绍了芯片中电路的设计过程,并给出了相应的仿真结果和分析。在前面研究的基础上,采用华宏NEC 0.25μm CMOS制造工艺完成了LDO电路的前端与后端设计。采用Hspice对电路仿真结果表明所设计的全集成LDO能够在0到50 mA负载电流范围内稳定工作;在负载电流由0到50 mA和50到0 mA瞬态变化时,输出电压最大过冲小于8... 

【文章来源】：华中科技大学湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：69 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

基本的SRAM存储单元

中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论2 全集成LDO在安全SRAM中的应用息清除电路系统SRAM锁存单元中的数据电荷的方法M 存储器本身上解决 SRAM 存储信息残留问题，可电后自身信息清除的操作。一种是在 SRAM 数据锁据电荷“中和”掉的电路。通过采用标准的深亚微的低阈值器件或者本征器件来设计数据电荷“中和图 2-1 所示。

能够随着负载的改变来改变自扑结构图如图 2-4 所示，其主功率调整管和反馈电阻网络。基 Rf2采样后，输入到误差放大准电压 Vref进行比较，输出。馈电阻 Rf1、Rf2分压采样后，也跟着降低，功率调整管的栅源压上升，保持输出的稳定。整个”原理，可以认为正相端与反相(1)21ffoutrefRRV = V+


本文编号：3108679