阻变存储器测试技术研究

发布时间：2021-04-07 23:14

　　受半导体工艺尺寸微缩限制,传统浮栅存储器的发展不断面临着挑战,新型存储器逐渐成为人们研究的重点。其中,阻变存储器具有编程电压低,读写速度快,与标准CMOS工艺良好兼容等优势,被认为是最有前景的非挥发存储器之一。但是,阻变存储器件的阻变机理不够清晰、存储单元的读写操作不太稳定、阻变性能亟待优化等都影响着阻变存储器的实际工程应用。对于阻变存储器而言,除了器件结构、工艺条件、电路设计以外,改变器件编程方式是提高阻变性能稳定性和可靠性的重要手段。研究阻变存储器的可靠性,需要对单管器件或者集成阵列中的存储单元进行大量的读写操作测试,基于测试结果进行编程算法优化来提高器件性能,所以阻变存储单元的测试技术在存储器应用研究中尤为重要。本文的研究主要集中在对阻变存储器的测试技术上,一方面探索不同读写操作方案对阻变存储器性能的影响;另一方面,针对新型阻变存储器芯片存在的功能故障,设计内建自测试电路。具体内容如下:1:基于C/C++语言,实现了针对阻变存储器阵列测试的程序,包括漏电测试、静态电流测试、器件耐受性（Endurance）测试、均一性测试、器件保持特性（Data Retention）测试等的编程开... 

【文章来源】：兰州大学甘肃省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：68 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

半导体存储器的分类[1]

士研究生学位论文 阻变存储器测挥发性存储器在失去供电后，数据仍然可以较为长期的保存，在移动设备，计算机等各个领域广泛被应用，主要包括 PROM、[2,3]。其中，Flash 存储器同时具有 ROM 和 RAM 的特点，掉电保存不会丢失，电子可擦除、可编程，功耗小，成本低廉，可用代码等[4]。由于 Flash 的绝对优势，以 Flash 为代表的存储器，逐的主力军。图 1.2 所示是全球闪存储存器的收入分布情况，自 2sh 存储器的全球收入正逐年递增。

图 1.2 全球闪存存储器的收入分布情况[5]同阵列结构形式，Flash 存储器可以分为 NOR 型和 NAND 型，储器可直接选择位进行操作，读速度快，存储单元占用面积大。N储器有较高的单元集成密度，适合大容量存储，且在写速度方面 Flash 存储器。图 1.3 总结了 NOR 型和 NAND 型存储器的主要应


本文编号：3124376