聚苯胺/氧化石墨烯复合材料阻变存储器的制备和性能研究

发布时间：2021-04-19 04:31

　　信息的飞速发展对信息存储和逻辑电路方面提出了更高的要求。传统的硅基存储器由于存储密度低、加工成本高、器件制备工艺复杂以及材料自身限制等使其发展达到极限,已不能满足信息存储快速发展的需求。与硅基存储器相比,有机聚合物存储器具有诸多优势,如材料易加工、加工过程功耗低并且成本低、材料柔韧性好、可大面积制作、响应快、可实现高密度存储等,因此被认为是下一代非易失存储技术的最有力竞争者之一。另一方面,石墨烯作为存储材料也能提供好的机械柔韧性、快速响应时间、高开关比等特点,并且可以实现微型化电路。因此基于有机聚合物/石墨烯的复合阻变式存储器件研究有望集合二者优点,进一步改善有机电存储器件的综合性能。本文通过不同的复合方法分别制备了磺化聚苯胺-氧化石墨烯复合材料和聚苯胺-氧化石墨烯复合材料,并将复合材料作为活性层制备了夹层存储器件,表征并分析了复合器件的电存储性能。本课题具体内容如下:（1）采用简单的物理共混法制备磺化聚苯胺（SPANI）和氧化石墨烯（GO）复合水分散液,并将其旋涂于ITO玻璃上作为活性层,蒸镀上电极Al,得到夹层器件结构Al/SPANI-GO/ITO。室温环境下,通过电流-电压（I-... 

【文章来源】：郑州大学河南省 211工程院校

【文章页数】：65 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

典型的阻变非易失电双稳存储器件结构

图 1.1 典型的阻变非易失电双稳存储器件结构易失存储器的活性层薄都是纳米级的薄膜厚度，薄存储技术，提高了器件的存储容量，因为薄膜层层堆独立地通过周边电路或底电路寻址。阻变非易失存大简化了存储器的设计与实施工艺，进而降低了加储能力和简单驱动电路使得阻变非易失存储器功率实现应用奠定基础。

1 绪论DRAM 型存储器的工作特征曲线如图 1.3（c）所示，DRAM 型存储器和WMRM 存储器存储特性相似，是易失性随机存储器，但是不同的是 DRAM 型存储器在断开电源后会由 ON 态立即恢复到 OFF 态。因此 DRAM 型存储器有出易失性，但对信息具有写入、读取、擦除和重写入的能力。此外，由于 DRAM型存储器存储密度较高、响应速度较快，目前逐渐成为现代计算机主要的存储器件[16]。

【参考文献】：
博士论文
[1]D-A型电双稳态高分子功能材料的设计及其非易失性存储效应[D]. 张斌.华东理工大学 2013

硕士论文
[1]氧化石墨烯及其阻变存储器的制备和性能研究[D]. 尹文杰.山东大学 2012



本文编号：3146837