氧化锆/二维硫族化物阻变存储器特性及神经突触仿生研究

发布时间：2021-06-22 19:21

　　忆阻器（Memristor）是指通过施加电压电流信号实现电阻可控转变的器件,具备存储计算功能。在存储器应用方向,忆阻器的一种重点应用是阻变存储器（resistance random access memory,RRAM）。阻变存储器有着非易失特性,拥有速度较快,集成度较高,结构简单等优势,具备开启下个存储器时代的潜力。然而在实用化当中,阻变存储器存在着可靠性不足的问题,即打开与关闭（Set和Reset）时的电压离散性大,分布不统一,因此寻求新材料,新结构来提高器件可靠性是我们目前的主要方向。此外,在神经仿生方向,如何真实的模拟神经突触性能还有待提高。针对上述阻变存储器性能的提升以及电子人工突触领域的研究需要,本课题的主要研究内容如下:一.将二维二硫化钨（WS₂）纳米片层插到传统的阻变介质层氧化锆（ZrO₂）之下以构建Ag/ZrO₂/WS₂/Pt结构的阻变存储器。在直流电压的扫描作用下,Ag/ZrO₂/WS₂/Pt器件呈现出双极性电阻转变可逆行为。与两种单层... 

【文章来源】：河北大学河北省

【文章页数】：75 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

存储器分类图

阻变随机存储器结构示意图

电阻转变机制分类图

【参考文献】：
期刊论文
[1]阻变存储器无源高密度交叉阵列研究进展[J]. 李晓燕,李颖弢,高晓平,陈传兵,韩根亮.  科学通报. 2018(Z2)
[2]基于忆阻器的脉冲神经网络研究综述[J]. 徐桂芝,姚林静,李子康.  生物医学工程学杂志. 2018(03)
[3]忆阻器的发展现状与未来[J]. 李清江,刘海军,徐晖.  国防科技. 2016(06)
[4]相变存储器材料研究[J]. 吴良才,宋志棠,周夕淋,饶峰,封松林.  中国科学:物理学 力学 天文学. 2016(10)
[5]阻变存储器研究进展[J]. 龙世兵,刘琦,吕杭炳,刘明.  中国科学:物理学 力学 天文学. 2016(10)
[6]氧化物忆阻器材料及其阻变机理研究进展[J]. 殷一民,程海峰,刘东青,张朝阳.  电子元件与材料. 2016(09)
[7]忆阻器在神经突触仿生中的应用研究进展[J]. 张超超,尚杰,郝健,张文斌,冀正辉,刘钢,李润伟.  材料导报. 2015(15)
[8]几种新型非易失存储器的原理及发展趋势[J]. 蒋明曦,刘春岩.  微处理机. 2014(02)
[9]抗辐射铁电存储器的研究进展[J]. 翟亚红,李威,李平,胡滨,霍伟荣,李俊宏,辜科.  材料导报. 2012(23)
[10]铁电薄膜及其在存储器件中的应用研究现状[J]. 李惠琴,刘敬松.  材料导报. 2009(S1)

博士论文
[1]基于二元金属氧化物的阻变存储器研究[D]. 王艳.兰州大学 2012

硕士论文
[1]基于石墨烯氧化物量子点的阻变存储及神经突触仿生器件研究[D]. 张磊.河北大学 2019
[2]基于鸡蛋蛋白薄膜为功能层的忆阻器特性与物理机制研究[D]. 李小燕.河北大学 2019
[3]基于ZnO/ZnS忆阻器神经突触仿生器件研究[D]. 胡令祥.上海大学 2017
[4]基于Ba0.6Sr0.4TiO3和Zr0.5Hf0.5O2薄膜的存储特性研究[D]. 李玉成.河北大学 2016
[5]氧化物阻变存储器材料中电阻转变与电场对磁性的调控[D]. 裴金亮.山东大学 2016
[6]忆阻器件及其应用[D]. 贾旺旺.电子科技大学 2016
[7]阻变存储器阻变机理及物理模型研究[D]. 孙鹏霄.兰州大学 2015



本文编号：3243399