CBRAM中导电丝形成机理的研究
发布时间：2021-07-12 03:44
传统的以电荷为存储媒介的存储器,随着工艺尺寸的缩小其面临着微缩极限的问题。因此研究新型的非易失性存储器是很有必要的。由于具有结构简单、便于集成和功耗低等优点,阻变存储器成为了下一代非易失性存储器的候选者之一。而其中以金属导电丝导电的导电桥阻变存储器（CBRAM）,具有响应速度快、循环特性好和多值存储等特点,成为现今阻变存储器研究的热点之一。在神经形态计算和人工神经网络应用方面,理解和控制金属导电丝的生长是非常关键的。同时对金属导电丝机理的研究也有助于CBRAM的商业化生产和应用。本文运用第一性原理计算的方法对CBRAM中金属导电丝的形成机理进行了理论研究。首先,结合已有的实验结果我们探索了Ag导电丝在GeSe、ZrO2、SiO2和a-Si四种材料中不同生长模式背后的物理机制。发现Ag离子在材料中的稳定性、迁移势垒以及极化作用强弱,对导电丝的生长模式起着关键的作用。基于此我们对四种材料中导电丝的生长模式做出了解释,特别是对溅射SiO2和PECVD制备SiO2中不同的导电丝生长模式进行了分析解释。其次,...
【文章来源】：华中科技大学湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：70 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
FRAM的工作原理
（MRAM）易失性存储器[7]，它利用磁阻效应使存储，如图 1-2。MRAM 的单元结构一般工作时，固定磁层的磁矩方向不变，而发生改变。当自由磁层的磁矩方向和阻力小，器件表现为低阻态，反之磁矩0”、“1”的存储。快、循环特性好等特点，被存储界认现今，MRAM 主要分为两类：基于（Spin-TransferTorque，STT）MRAM变化，有望结合 DRAM 和 FLASH 的的磁场干扰问题以及与硅基 CMOS 技重要瓶颈。
依靠材料在晶态和非晶态时不同的电阻状态来变材料在晶态时具有较低的电阻，相当于“1”；“0”。PCRAM 具有重复性好、存储密度高和OR 型闪存的新型存储器。但由于使材料发生相的功耗高。且由于非晶态时的电阻漂移，PCRA]，以及高质量相变材料的制备都是限制 PCRA（RRAM）能层材料在不同的外加电场的作用下，电阻在和“1”的存储的存储器。典型的 RRAM 为三，如图 1-3。
本文编号：3279132
【文章来源】：华中科技大学湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：70 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
FRAM的工作原理
（MRAM）易失性存储器[7]，它利用磁阻效应使存储，如图 1-2。MRAM 的单元结构一般工作时，固定磁层的磁矩方向不变，而发生改变。当自由磁层的磁矩方向和阻力小，器件表现为低阻态，反之磁矩0”、“1”的存储。快、循环特性好等特点，被存储界认现今，MRAM 主要分为两类：基于（Spin-TransferTorque，STT）MRAM变化，有望结合 DRAM 和 FLASH 的的磁场干扰问题以及与硅基 CMOS 技重要瓶颈。
依靠材料在晶态和非晶态时不同的电阻状态来变材料在晶态时具有较低的电阻，相当于“1”；“0”。PCRAM 具有重复性好、存储密度高和OR 型闪存的新型存储器。但由于使材料发生相的功耗高。且由于非晶态时的电阻漂移，PCRA]，以及高质量相变材料的制备都是限制 PCRA（RRAM）能层材料在不同的外加电场的作用下，电阻在和“1”的存储的存储器。典型的 RRAM 为三，如图 1-3。
本文编号：3279132
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