给受体型格芳烃的纳米合成及其电荷俘获晶体管存储器

发布时间：2021-08-03 03:17

　　格芳烃是一类具有未来潜力的有机纳米材料,兼有良好的可溶液加工特性、光电性能和纳米特征。发展其有效调控电子结构、传输特性、激发态行为的方法,满足晶体管存储器俘获电荷材料的要求,至关重要。目前,D-A分子设计策略是一种可有效调节分子能带宽度,发光行为和载流子传输能力的普适方法。鉴于此,本论文致力于将D-A引入格芳烃分子,聚焦其有机纳米合成、结构表征;并将其作为电荷俘获材料引入到晶体管存储器,研究其差异性,具体工作如下:一、构筑A₁B₁类长横梁“L”型底物,将具有不同吸电子能力的苯并噻二唑（BT）和苯并三氮唑（BTz）单元由芴9位引入格芳烃分子,通过傅克反应高产率制备Grid-BT-2L和Grid-BT-2L分子,产率分别可达62%和65%。发现Grid-BT-2L相比Grid-BTz-2L的电荷俘获材料的晶体管存储器具有更高的载流子迁移率(1.23 cm²V^-1s^-1)和更稳定的维持能力(I_ON/I_OFF=1.56×10⁴

【文章来源】：南京邮电大学江苏省

【文章页数】：99 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

常见有的机光电器件

学位论文 储器的发展及工作原理管是有机半导体电子器件的基本原件之一，是由电场来。其器件有许多优点，如生产成本低、制备工艺简单、所示），引起国内外科研工作者的广泛关注；同时，有机性也是其相对无机材料的一个重要优点[9]。但有机半导传递、光电转换机理及导电机理等还没有形成公认合理体管材料与器件性能关系造成了不小的麻烦。

）材料的多样性、经济的溶液加工技术提供了有机场效应晶体管存储器最有可能成为下一代件一般是一种三端电子器件，由三个电极，一种移动电荷的电容器。直接接触半导体层的一触并且隔绝缘层正对源极和漏极间隙的电极被FET 器件结构可以分为以下四种：底部顶接触 1.3 为 OFET 器件的四种基本结构。不同的结构中，源/漏电极通过沉积在有机半导体层。而在底电极结构中源/漏电极通过光刻或电从电极注入半导体层与绝缘层界面的导电沟道有机半导体的沉积，容易产生较大的接触电阻场效应晶体管器件都是底栅顶接触结构，即栅上方。

【参考文献】：
期刊论文
[1]有机/聚合物π半导体的四元设计原理[J]. 解令海,常永正,顾菊芬,孙瑞娟,李杰伟,赵祥华,黄维.  物理化学学报. 2010(07)

博士论文
[1]高度形态稳定和环境稳定的电致发光材料的设计、合成与光电性能[D]. 解令海.复旦大学 2006

硕士论文
[1]含有噻吩或咔唑基元的芴基合成子：格子化、聚格化及其光电性质研究[D]. 刘辉.南京邮电大学 2017
[2]苯并噻二唑类给受体型纳米格子的设计、合成及忆阻性能研究[D]. 章杨.南京邮电大学 2017



本文编号：3318815