蓝光超分辨磁光存储介质和性能的研究

发布时间：2021-10-16 04:51

　　建立在磁光克尔效应基础上的磁光存储技术兼有磁存储和光存储的优点。蓝光技术和超分辨读出技术是提高磁光存储密度的两个重要手段,为了能进一步提高其存储密度,研究提出将两者的优势相结合,以期制备出具有更高存储密度的蓝光超分辨存储介质,这对于磁光存储技术的发展具有重要的意义。本工作采用直流磁控溅射法制备了Pt₃Co/TbFeCo和NdGdFeCo/TbFeCo交换耦合双层薄膜,利用表面磁光克尔效应（SMOKE）系统、振动样品磁强计（VSM）、Kerr谱仪等仪器测试了薄膜的磁及磁光性能,同时研究了双层薄膜的蓝光超分辨交换耦合性能。并对单层膜的制备工艺对性能的影响做了深入的研究。通过制备工艺的调整,得到了平面磁化的Pt₃Co与NdGdFeCo合金薄膜,垂直磁化的TbFeCo非晶合金薄膜。在80W、3.0Pa,基片温度300℃生长10nm条件下制备得到了Pt₃Co合金薄膜,其特性为:T_c=160℃,H_c=100Oe。在60W、0.8Pa室温下生长50nm条件下制备得到了Nd₁₂

【文章来源】：上海师范大学上海市

【文章页数】：78 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

磁光存储信息记录和擦除的原理示意图

「「堵 {{{九仰旧会滋点方式图1一磁光存储两种记录信息的方式磁光存储信息的读出则是利用磁光克尔效应或者磁光法拉第效应来实现的。从唯象性角度说，磁光效应是光从具有介电常数s和磁导率产的铁磁体透过或反射后，光的偏振状态发生变化的现象。当磁化强度矢量垂直于磁性薄膜表面，一束线偏振光入射到磁性薄膜表面后发生反射，反射光将变成椭圆偏振光，磁化矢量的相异方向会使反射的椭圆偏振方向不同，由于左、右圆偏振光的折射率不同，偏振面会旋转一定的角度+氏或·风，此角度正比于磁化强度M，这就是磁光极向克尔效应。如图1一3为磁光克尔效应的原理图。入射偏振面_

及靶源阳极上[97·，011。本工作利用沈科仪公司生产的F几560D2型三室超高真空磁控与离子束多功能溅射镀膜设备(如图2一1所示)制备所需薄膜。图2一IF几560D2型三室超高真空磁控与离子束多功能溅射镀膜设备该系统磁控溅射室具备6个靶座，其中，4个直流靶(其中的3个斜靶可以三靶共溅，1个直靶)2个射频靶(均为直靶)，6个靶可以同时起辉，有两个强磁直流靶一个为直靶一个为斜靶，另外系统配有送样系统，因此可以实现在不间断真空条件下制备出多种或者多层薄膜。直靶靶基间距90们ann，斜靶靶基间距105们nr以。系统采用循环水冷却靶材。可旋转底盘上可安装6个基片架(其中之一

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本文编号：3439183