碳量子点调控的氧缺陷型阻变存储器研究

发布时间：2022-07-08 15:33

　　随着电子科学技术的发展,传统的Flash存储器面临物理尺寸缩小极限,为了满足未来高密度数据储存的需要,目前众多下一代新型非易失性存储器相继被提出。其中,阻变存储器（RRAM）因其具有结构简单、功耗低、集成密度高等优点,被认为是下一代最具有应用前景的非易失性存储器。RRAM通常是将存储材料夹在两个电极之间构成三明治结构,利用存储材料微观结构变化来实现电阻切换。虽然阻变物理机制尚未定论,但普遍认为金属阳离子电化学反应和氧缺陷迁移所致的导电通道通断是产生阻变现象的物理根源。然而,从导电通道逐渐形成,直至贯穿整个阻变层过程中,其位置、形貌和尺寸等都存在较大随机性,导致出现一系列可靠性问题,例如低功耗信息的保持性和参数的波动性等。因此,为了解决以上可靠性问题,实现导电通道可控调节成为了该领域的核心课题。本论文从存储单元现存的核心问题出发,以氧化石墨烯（GO）与氧化铪(HfO_2-x)基氧缺陷型阻变器件为研究对象,利用碳量子点所特有的表面特性、光电特性及尺寸特性,对其性能调控及机制等方面开展了一系列研究工作,并拓展了RRAM在多功能化器件方面的应用。主要研究内容如下:1.利用碳... 

【文章页数】：100 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

(a)浮栅结构示意图(b)工作原理

FRAM工作原理

MRAM结构示意图

【参考文献】：
期刊论文
[1]NiOx阻变存储器性能增强方法及相关机理研究[J]. 顾晶晶,陈琳,徐岩,孙清清,丁士进,张卫.  复旦学报(自然科学版). 2010(06)

博士论文
[1]二元过渡金属氧化物的阻变存储器研究[D]. 谢宏伟.兰州大学 2013



本文编号：3657285