基于OMP的SRAM成品率分析的分组建模方法
发布时间:2023-01-08 18:02
静态随机存取存储器(SRAM)电路的失效是极小概率事件,并且不同电路条件下的失效区域边界可能相距很远。因此,为了更高效地获得更精准的SRAM成品率预测结果,提出一种基于正交匹配追踪(OMP)算法的SRAM性能分组建模方法,并应用于典型SRAM电路成品率的预测。此方法主要根据不同SRAM电路条件下失效区域边界距离的差异将仿真数据划分为多组,之后利用OMP算法对不同组的数据分别建立多项式模型,该模型可用于对SRAM电路的成品率进行快速分析预测。与标准蒙特卡洛统计算法及基于OMP的单一建模方法相比,基于OMP的分组建模方法不仅可以缩短建模时间,提高建模准确度,还能够获得更加精确的SRAM成品率预测结果。
【文章页数】:5 页
【参考文献】:
期刊论文
[1]商用CMOS工艺SRAM脉冲中子辐射效应实验[J]. 齐超,杨善潮,刘岩,陈伟,林东生,金晓明,王晨辉. 太赫兹科学与电子信息学报. 2016(05)
[2]重要性采样研究进展[J]. 郭瑛,艾渤,钟章队. 信息与电子工程. 2011(05)
本文编号:3728935
【文章页数】:5 页
【参考文献】:
期刊论文
[1]商用CMOS工艺SRAM脉冲中子辐射效应实验[J]. 齐超,杨善潮,刘岩,陈伟,林东生,金晓明,王晨辉. 太赫兹科学与电子信息学报. 2016(05)
[2]重要性采样研究进展[J]. 郭瑛,艾渤,钟章队. 信息与电子工程. 2011(05)
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