新型CTM存储电路的设计与实现

发布时间：2023-11-18 12:11

　　随着数字存储技术在移动通讯、数据终端、多媒体、及消费类电子等领域得广泛应用,Flash存储器成为SOC中一个重要的角色,并在行业中已经占据了不可替代的地位。然而,随着工艺技术的不断提高,及人们对产品性能的要求越来越高,传统浮栅存储器受到多方面的限制不能满足人们的需求,研发下一代快闪存储器——电荷俘获型存储器(Charge Trapping Memory, CTM)成为一种必然的趋势。由于CTM技术在我国还处于发展初期,对于电荷俘获技术的研究和嵌入式系统的开发具有很高的科学和经济价值。 论文根据电荷俘获型存储单元的操作特性及Numonyx₆5nm₃V₂Gbit的数据表,来设计容量为1Gbits的NOR型的存储器的系统架构。重点是设计适合1Gbits CTM存储器的高性能的读取通道,并对灵敏放大器,电荷泵系统的产生和管理,电平切换开关及带隙基准等相关电路进行设计。最后,论文根据SMIC的65nm下的工艺对CTM存储阵列和外围电路进行版图的设计,并提出在布局布线中应该要注意的问题及解决方法。 本文基于SMIC的90nm spi...

【文章页数】：76 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
目录
第1章 绪论
    1.1 非挥发存储器的现状与发展趋势
    1.2 嵌入式Flash存储器的发展现状和面临的挑战
    1.3 本论文的任务与内容
第2章 新型CTM系统特性的研究
    2.1 本章引论
    2.2 新型CTM存储单元的存储特性
        2.2.1 新型CTM存储单元的基本原理
        2.2.2 新型CTM存储单元的编程和擦除操作
        2.2.3 新型CTM存储单元的读取操作
    2.3 存储单元的阵列架构
第3章 新型CTM存储系统及电路设计
    3.1 本章引论
    3.2 系统描述与功能说明
        3.2.1 存储器系统功能描述及引脚说明
        3.2.2 存储器系统功能操作时序
    3.3 系统模块设计与划分
        3.3.1 存储器阵列架构设计
        3.3.2 存储器阵列地址分配
    3.4 数据通道与关键电路的设计
        3.4.1 译码电路的设计
        3.4.2 灵敏放大器电路设计
    3.5 编程及擦除通道设计
        3.5.1 电平切换电路设计
    3.6 高压产生与管理
        3.6.1 Dickon电荷泵工作原理
        3.6.2 高压电荷泵电路
        3.6.3 负高压电荷泵电路及管理
        3.6.4 带隙基准电路
第4章 新型CTM版图设计与实现
    4.1 本章引论
    4.2 新型CTM存储系统的布局
        4.2.1 新型CTM存储系统版图的布局
        4.2.2 新型CTM扇区的布局
        4.2.3 新型CTM存储阵列内部单元的布局
    4.3 数据通道版图设计
        4.3.1 字线译码电路的版图
        4.3.2 位线译码电路的版图
        4.3.3 灵敏放大器的版图
    4.4 电平切换电路的版图
    4.5 电荷泵系统的版图
    4.6 带隙基准电路的版图
第5章 结论
    5.1 研究总结
    5.2 工作展望
参考文献
致谢
硕士期间发表的学术论文及申请专利情况



本文编号：3865258