MWNTs表面态对聚酰亚胺基复合薄膜微观结构及阻变特性影响

发布时间：2024-01-21 09:22

　　信息技术的快速发展要求电存储器件具有非易失性、存储容量高、响应速度快和制造成本低等特性。聚合物存储器具有运行速度快、存储密度高、功耗低、结构灵活、制造工艺简单、成本低等特点,成为新一代存储器件重要发展方向。由于碳纳米管的碳原子以s p²杂化方式成键,每个碳原子以σ键与其它三个碳原子相连接,π电子与其它碳原子的π电子形成离域π键,使其具有独特的电学特性。近年,碳纳米管/聚合物复合材料存储器件引起人们广泛关注,开展相关研究,取得显著进展。通常,高表面能的碳纳米管易于团聚,且与聚合物相容性差,导致碳纳米管掺杂在聚合物基体中分散性较差,改善碳纳米管在聚合物中的分散性,是聚合物基存储器件的重要研究课题之一。目前,普通碳纳米管/聚合物基存储器件存储形式相对单一、开关电流比小。为了提高存储器件开关电流比和电流稳定性,实现多种形式存储,本文通过官能团修饰及纺丝炭化处理碳纳米管表面,制备不同表面态碳纳米管/聚酰亚胺基复合薄膜及电学存储器件,研究多壁碳纳米管(MWNTs)表面态对聚酰亚胺基复合薄膜微观结构及其存储器件阻变特性影响。采用原位聚合法制备不同组分掺杂的MWNTs/PI、端基...

【文章页数】：149 页

【学位级别】：博士

本文编号：3881703