基于石墨烯氧化物量子点的阻变存储及神经突触仿生器件研究

发布时间：2024-05-08 02:42

　　忆阻器(Memristor)是蔡绍棠提出的第四种基本电子元器件,其电阻可以根据流经它的电荷量而发生改变。由于忆阻器的独特性,对它的研究延伸到诸多方面,阻变存储器(resistance random access memory,RRAM)就是忆阻器在存储器领域的一个重要应用。阻变存储器由于具有结构简单,速度快,功耗低,制备工艺与现有的超大规模集成电路芯片生产工艺相兼容等突出优势,成为下一代存储器的可能选择之一。然而阻变存储器在走向产业化过程中时也面临着很多障碍,其中阻变存储器的开关阈值电压(Set和Reset)具有较大的弥散性是最突出的问题,因此研究制备出性能更加优异,开关阈值电压均一性较高的新型阻变器件是阻变领域的研究重点。忆阻器的另一个应用是神经突触仿生研究,即运用忆阻器模仿人类大脑的神经突触行为,如记忆,遗忘以及突触可塑性等功能,研究神经突触仿生器件对于类脑计算具有重要意义。针对阻变存储及神经突触仿生器件领域的研究需要,本论文做了以下三项研究工作。一.使用石墨烯氧化物量子点(graphene oxide quantum dots,GOQDs),结合传统的阻变功能层材料Zr_...

【文章页数】：73 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图1-1阻变存储器结构示意图

sistiverandomaccessmemory，RRAM），顾名值可以在相对较高的电阻态和相对较低的电阻变存储器的高阻态视为“0”，低阻态视为“1”，芯片。，目前主流存储器件的制备尺寸不断微缩，存是尺寸的不断缩小将会使存储单元间产生各种据保持能力，读写能力等特性产生严重....

图1-2阻变存储器件电流电压曲线

图1-2阻变存储器件电流电压曲线u等科学家为更直观的探究此类阻变器件的测技术对Set与Reset过程进行的细致的探2/Pt的器件结构，然后运用situTEM技术程中的诸多现象，包括导电细丝的形成/溶解et过程中细丝的形成，以及细丝在Reset中存储单元....

图2-1磁控溅射设备

图2-1磁控溅射设备先将需要生长的靶材放在靶台上，将待生长薄将镀膜腔体抽到210-4Pa左右的真空度，之后射进行到设定时间关闭仪器即可。使用磁控溅薄膜厚度，薄膜附着力强等突出优点。磁控溅射源发射出去，在移动过程中与由进气阀通入电的氩离子和电子，氩离子在电场的作用下轰溅射....

图3-1GOQDs溶液将GOQDs溶液均匀的旋涂在云母衬底上并晾干后，采用AFM对GOQDs进行形

图3-1GOQDs溶液涂在云母衬底上并晾干后，采用m1um范围内GOQDs旋涂在云母表面。图3-2(b)是图3-2(a，在理论上单层石墨烯的厚度是是0.5nm，与相关文献中所描述是单层石墨烯结构，所以测试结度分布是均匀相似的，没有明显

本文编号：3967376