SRAM内嵌灵敏放大器失调电压的影响因素研究

发布时间：2017-07-26 13:24

  本文关键词：SRAM内嵌灵敏放大器失调电压的影响因素研究

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【摘要】：随着第一个晶体管的诞生，微电子技术发展尤为迅速，目前已进入了甚大规模集成电路时代。半导体存储器作为微电子产品的典型代表已越来越多的使用到各种不同的电子消费品中，近年来，凭借着速度快和功耗低的优点，静态存储器（SRAM）的发展势头十分强劲，，成为了半导体存储器中不可或缺的一部分。 本论文首先介绍了存储器的分类和国内外的发展现状，从摩尔定律到基辛格规则。其次，着重分析了SRAM的基本结构，从基本框架到各个模块，通过不同结构的存储单元工作原理，介绍了其各自的设计方法及优缺点，本论文以6管存储单元为例，介绍了电路读写的时序，分析了几种容限。接着，本文通过对几种不同类型灵敏放大器原理的对比及分析，总结优缺点，特别是本设计用到的锁存型灵敏放大器，分析了电路失配的原因以及减小失配的方法，在深亚微米工艺下，失配电压服从高斯分布，降低灵敏放大器失配电压的平均值幅度空间已经很小，良率主要取决于失配电压标准差的值。通过对存储单元以及灵敏放大器的设计和仿真，得出满足良率下的灵敏放大器的失配电压值。最后对整个SRAM进行仿真，优化。
【关键词】：SRAM 灵敏放大器 失配电压 蒙特卡罗 工艺角 良率
【学位授予单位】：苏州大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2014
【分类号】：TP333;TN722
【目录】：

• 中文摘要4-5
• Abstract5-8
• 第一章 绪论8-14
• 1.1 课题的背景8-9
• 1.1.1 摩尔定律8-9
• 1.1.2 基辛格规则9
• 1.2 存储器的分类9-11
• 1.3 国内外的存储器发展11-12
• 1.4 本课题的研究内容及目标12-13
• 1.5 论文的章节结构13-14
• 第二章 SRAM 框架和存储单元的设计与分析14-32
• 2.1 SRAM的基本框架14-19
• 2.1.1 控制电路分析15-16
• 2.1.2 译码器电路分析16-19
• 2.2 6管 SRAM 基本存储单元的分析19-28
• 2.2.1 SRAM 的工作原理19-22
• 2.2.2 SRAM 性能的分析22-28
• 2.3 不同存储单元的结构分析28-31
• 2.3.1 6T单元的设计28-29
• 2.3.2 8T单元的设计29
• 2.3.3 10T单元的设计29-30
• 2.3.4 5T单元的设计30
• 2.3.5 9T单元的设计30-31
• 2.4 本章小结31-32
• 第三章 灵敏放大器的设计与分析32-37
• 3.1 电流镜型灵敏放大器的设计32-33
• 3.2 交叉耦合型灵敏放大器的设计33
• 3.3 锁存型灵敏放大器的设计33-36
• 3.3.1 反相器分析33-35
• 3.3.2 锁存型灵敏放大器分析35-36
• 3.4 本章小结36-37
• 第四章 失调电压的分析计算以及电路的仿真验证37-48
• 4.1 HSPICE 仿真软件简介37-38
• 4.2 失配的工艺原因以及 Monte Carlo 分析方法38-39
• 4.2.1 失配的工艺原因38-39
• 4.2.2 Monte Carlo 分析方法39
• 4.3 存储单元的仿真39-43
• 4.4 SAC的仿真43-45
• 4.4.1 扫描法测失调电压43-44
• 4.4.2 二分法测失调电压44
• 4.4.3 灵敏放大器的仿真数据44-45
• 4.5 最优化的失调电压45-47
• 4.5.1 全概率分析45-46
• 4.5.2 Matlab 数值分析46
• 4.5.3 与传统分析比较46-47
• 4.6 本章小结47-48
• 第五章 结论与展望48-49
• 5.1 本文的总结48
• 5.2 今后的展望48-49
• 参考文献49-52
• 附录52-55
• 致谢55-56

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前3条

1 邵虞;;最近世界半导体业发展特点漫谈(下)[J];电子产品世界;2007年09期

2 周燕;张蓉;李正平;余群龄;;基于65nmSRAM灵敏放大器新型失调减小技术的研究[J];电脑知识与技术;2012年10期

3 李文石,唐璞山,许杞安,章焱;集成电路时间延迟优化分析与模拟[J];微电子学;2004年06期

本文编号：576608