可嵌入RFID标签的低功耗单栅非易失性存储器

发布时间：2017-10-06 07:15

  本文关键词：可嵌入RFID标签的低功耗单栅非易失性存储器

  更多相关文章： 非易失性存储器(NVM) Fowler-Nordheim(FN)隧穿 射频识别(RFID) 标准CMOS工艺 单栅

【摘要】：采用Skysilicon 0.35μm标准CMOS工艺设计并制造了一种可嵌入射频识别(RFID)标签的低功耗单栅非易失性存储器(SPNVM)。与传统的采用双栅工艺制造的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器相比较,所提出的单栅存储器具有更低的制造成本和功耗,更多的可编程次数以及更简单的控制电路。该存储器是将三个MOS晶体管的栅极连在一起作为等效浮栅,数据以电压的形式输出。利用Fowler-Nordheim电子隧穿机制对浮栅注入或泄放电子,这使得编程过程可以自动停止,且浮栅不会被过度编程。所提出的存储器结构仅使用两个正电压便可实现擦除、写入和读取操作。测试结果表明,对存储单元进行擦除和数据写入所需时间均为80 ms,存储器可以实现超过1 000次的编程循环,在芯片未封装的情况下,数据保持时间至少为14天。
【作者单位】： 天津工业大学电子与信息工程学院;
【关键词】： 非易失性存储器(NVM) Fowler-Nordheim(FN)隧穿 射频识别(RFID) 标准CMOS工艺 单栅
【基金】：天津市应用基础与前沿技术研究计划资助项目(15JCYBJC16300)
【分类号】：TP391.44;TP333
【正文快照】： 0引言随着物联网技术的发展,作为其关键技术的射频识别(radio frequency identification,RFID)技术受到了广泛的关注。作为RFID的核心,存放产品信息的非易失性存储器应具有较低的成本和功耗的特点。但由于传统RFID通常采用成本和功耗较高而工艺成熟的双栅工艺制造的电可擦可编

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本文编号：981423