基于TDICE单元的SRAM抗SEU加固设计

发布时间：2017-10-06 18:03

  本文关键词：基于TDICE单元的SRAM抗SEU加固设计

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【摘要】：双立互锁存储单元(DICE),在保持状态下是一种可靠有效的单粒子翻转(SEU)加固方法,但是,基于DICE单元的SRAM在读操作下会发生抗SEU失效.相比抗单个敏感节点翻转的效果,DICE抗多个敏感节点翻转的能力较弱.为此,在DICE结构的基础上采用读写分离机制,以解决DICE单元在读写过程中的节点翻转问题.同时,根据电阻加固原理,在DICE存储单元的节点之间增加NMOS管,即TDICE(Transistor DICE)结构,其利用晶体管隔离反馈回路中的节点间的连接,提高了SRAM的抗多节点翻转能力.Spectre仿真结果表明:基于TDICE单元的SRAM具有较强的抗单粒子翻转能力.
【作者单位】： 江南大学物联网学院工程学院;中国电子科技集团公司第58研究所;
【关键词】： SRAM 单粒子翻转 DICE 读写分离 TDICE
【分类号】：TP333
【正文快照】： 1引言在空间辐射环境中,高能粒子在穿过电子器件的敏感区时,引发存储电路的单粒子翻转,造成器件逻辑状态的改变和器件的损坏[1].为此,提高电路抗单粒子翻转的能力至关重要.对单粒子翻转的加固方法很多,如工艺加固、系统级加固和电路级加固等使电路获得较好的抗SEU能力.工艺加，

本文编号：984195