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大尺寸金属氧化物TFT面板设计分析

发布时间:2017-10-20 08:13

  本文关键词:大尺寸金属氧化物TFT面板设计分析


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【摘要】:根据最基本的2T1C像素电路,建立了TFT各参数与AMOLED面板限制因素的计算模型。详细分析了AMOLED显示尺寸与TFT迁移率、金属方块电阻、刷新频率以及器件结构的关系。在大尺寸高分辨率AMOLED面板设计中,信号线RC延迟是主要限制因素。TFT迁移率的提高在一定范围内对大尺寸显示面板设计有利,降低RC延迟是实现大尺寸、高分辨率、高刷新频率显示的关键技术。开发铜布线技术和低寄生电容TFT器件结构是未来大尺寸AMOLED显示的关键技术。
【作者单位】: 广州新视界光电科技有限公司;华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室;
【关键词】AMOLED 大尺寸 高分辨率 RC延迟
【基金】:国家自然科学基金(61204089) 广东省自然科学基金(S2012010008648)资助项目
【分类号】:TN949.1
【正文快照】: 1引言大尺寸化、超清化以及3D显示是未来电视发展的重要方向。4K2K大尺寸电视具有前所未有的视觉体验,目前主要电视厂商把4K2K作为一个重点开发目标。对于提高视频画面显示质量和3D显示,一般要求显示面板的刷新频率不低于120 Hz[1-2]。被誉为梦幻显示器的“有源有机发光二极管

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号:1066188

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