亚波长金属光栅的凹槽深度对太赫兹伪表面等离子体影响（英文）

发布时间：2017-12-09 14:21

  本文关键词：亚波长金属光栅的凹槽深度对太赫兹伪表面等离子体影响（英文）

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【摘要】：从理论上详细研究了一维亚波长金属光栅的凹槽深度对太赫兹伪表面等离子的影响。分别对一维标准亚波长金属光栅和缺陷亚波长金属光栅进行了研究。电场分布情况采用了COMSOL软件进行模拟。得到的结论是:对于一维标准亚波长金属光栅,沿金属光栅传播的表面等离子体取决于槽深度,较深的槽具有更强的束缚能力;对于具有缺陷的光栅结构,电场强度的分布特点取决于缺陷槽的深度,这归功于缺陷槽对光的反射和散射。基于这一理论研究,这两种不同的亚波长金属光栅结构能为太赫兹器件如波导、衰减器及滤波器发展提供新的途征。
【作者单位】： 湖南工学院电气与信息工程学院;湖南工学院信号与信息处理重点实验室;
【基金】：湖南工学院博士科研启动基金(HQ15002) 湖南省自然科学基金(14JJ6046)
【分类号】：O485;O53
【正文快照】： impact on THz spoof SPPs electric field distribution0 Introductionusing numerical calculation.The metal is also treatedas PEC.We analyze two different structures:one isRecently the field of plasmonics has attracted greatuniform groove depth metal grating

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本文编号：1270713