考虑低能电子影响的二次电子修正模型

发布时间：2017-12-25 05:17

  本文关键词：考虑低能电子影响的二次电子修正模型　出处：《中国空间科学技术》2017年02期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：随着微放电效应研究的不断深入,低能电子影响在微放电过程中越来越不可忽视。当前常用的微放电模型在处理低能电子问题上具有一定的局限性,为了精确模拟这一过程,在深入研究二次电子和背散射电子发射理论的基础上,分别针对材料表面条件不同引起的二次电子发射系数不确定性、低能电子的背散射系数以及电子入射角等问题进行了分析和讨论,并在此基础上建立了一个二次电子发射模型,最后通过数值计算讨论了模型的正确性和适用范围。这一模型同时考虑材料表面条件参数、低能电子的背散射系数以及入射角等因素影响,能够兼容较低能量电子的二次发射,提升微放电数值模拟的精确度和适用性,为微放电数值模拟的发展起到推进作用。
【作者单位】： 中国空间技术研究院西安分院空间微波技术重点实验室;中国文昌航天发射场指挥控制中心;
【基金】：国家自然科学基金(U1537211,11605135)
【分类号】：O462.2
【正文快照】： 2.中国文昌航天发射场指挥控制中心,文昌571300网络出版地址:http:∥kns.cnki.net/kcms/detail/11.1859.V.20170321.1537.005.html引用格式:彭凯,李晶,张颖军,等.考虑低能电子影响的二次电子修正模型[J].中国空间科学技术,2017,37(2):32-38.PENG K,LI J,ZHANG Y J,et al.A mod

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本文编号：1331508