非磁性半导体磁阻效应物理模型研究

发布时间：2017-12-27 05:32

  本文关键词：非磁性半导体磁阻效应物理模型研究　出处：《材料导报》2017年17期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：非磁性半导体的磁阻效应一直以来受到了科研工作者的广泛关注,具有重大的研究意义和价值,在磁性传感器、高密度存储等方面有着潜在应用前景。主要综述了几种典型的非磁性半导体磁阻效应物理模型,即空间电荷效应模型、纳米非均匀性模型、二极管辅助几何增强模型、载流子复合模型和雪崩电离模型。最后,对非磁性半导体的雪崩电离基磁阻效应进行了分析和展望。
[Abstract]:The magnetoresistance effect of non-magnetic semiconductor has been widely concerned by researchers. It has great research significance and value, and has potential application in magnetic sensors, high-density storage and so on. Several typical models of magnetoresistive effect of nonmagnetic semiconductors, including space charge effect model, nano nonuniformity model, diode assisted geometric augmented model, carrier recombination model and avalanche ionization model, are reviewed. Finally, the effect of the avalanche ionization based magnetoresistance effect on nonmagnetic semiconductors is analyzed and prospected.
【作者单位】： 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(11574243;11174231)
【分类号】：O472
【正文快照】： 0引言磁阻(MR)效应,是指材料的电阻随外加磁场变化而变化的效应,一般定义式为MR=[R(B)-R(0)]/R(0),其中R(B)和R(0)分别为施加磁场后和未施加磁场情况下样品的电阻值。在过去几十年里,人们在巨磁阻效应和隧道磁阻效应等方面的研究已取得了巨大成就[1-3],基于磁阻效应的存储器件

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3 肖立业,韩燕生;银在低温下的磁阻效应的测试[J];低温与超导;1992年03期

4 崔甲武,宋金t，

本文编号：1340475