不同应变对Ge的光学性质影响的第一性原理研究

发布时间：2018-01-04 01:11

  本文关键词：不同应变对Ge的光学性质影响的第一性原理研究　出处：《发光学报》2017年06期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：研究了不同方向、不同强度的应变对Ge光学性质的影响。结果表明,Ge在单轴张应变和双轴张应变的调控下,均可由间接带隙转向直接带隙,其中,单轴应变有更低的转变点。Ge在常用波段处(0.4 eV)的介电函数实部和虚部在张应变作用下,均急速上升而后在一定应变范围内下降。对Ge进行[111]单轴应变调控能表现出更好的光学性能以及更便捷的器件设计(较低的应变量)。
[Abstract]:The effect of different direction and strength strain on the optical properties of GE is studied. The results show that GE can change from indirect band gap to direct band gap under the control of uniaxial strain and biaxial strain. There is a lower transition point in uniaxial strain. GE (0.4 EV) in common band. The real part and imaginary part of GE increase rapidly under the action of tensile strain, and then decrease within a certain strain range. [111] uniaxial strain control can exhibit better optical properties and more convenient device design (lower strain).
【作者单位】： 中国石油大学(北京)理学院;北京信息科技大学理学院;
【基金】：国家自然科学基金青年科学基金(11604016) 北京市教育委员会科技计划一般项目资助~~
【分类号】：O472.3
【正文快照】： 1引言近年来,Ge作为一种新型的光电探测器材料而受到人们的普遍关注,并且最近以其较高的电子空穴迁移率而被作为新型的硅基激光发射器的组成元素[1]。但Ge属于间接带隙结构,这种结构导致其在发光时空穴和电子复合动量不守恒,必须依靠发射声子来进行,所以光电效率较低。这个缺

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本文编号：1376383