等离子增强原子层沉积低温生长GaN薄膜
本文关键词：等离子增强原子层沉积低温生长GaN薄膜 出处：《物理学报》2017年09期 论文类型：期刊论文
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【摘要】：采用等离子增强原子层沉积技术在低温下于单晶硅衬底上成功生长了Ga N多晶薄膜,利用椭圆偏振仪、低角度掠入射X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对薄膜样品的生长速率、晶体结构及薄膜成分进行了表征和分析.结果表明,等离子增强原子层沉积技术生长Ga N的温度窗口为210—270?C,薄膜在较高生长温度下呈多晶态,在较低温度下呈非晶态;薄膜中N元素与大部分Ga元素结合成N—Ga键生成Ga N,有少量的Ga元素以Ga—O键存在,多晶Ga N薄膜含有少量非晶态Ga_2O_3.
[Abstract]:The growth rate , crystal structure and composition of the thin films were characterized and analyzed by using plasma enhanced atomic layer deposition technique at low temperature on single crystal silicon substrate . The results showed that the growth rate , crystal structure and film composition of the thin film samples were characterized and analyzed by using an elliptical polarizer , a low angle grazing incidence X - ray diffraction instrument and an X - ray photoelectron spectrometer .
【作者单位】： 山东科技大学材料科学与工程学院;中国科学院微电子研究所微电子设备技术研究室;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心;
【基金】：浙江省科研院所扶持专项(批准号:2016F50009)资助的课题~~
【分类号】：O484
【正文快照】： 采用等离子增强原子层沉积技术在低温下于单晶硅衬底上成功生长了Ga N多晶薄膜,利用椭圆偏振仪、低角度掠入射X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对薄膜样品的生长速率、晶体结构及薄膜成分进行了表征和分析.结果表明,等离子增强原子层沉积技术生长Ga N的温度窗口为210—270?C,薄
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，本文编号：1428152
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