AlN陶瓷激光金属化的研究进展

发布时间：2018-01-15 12:17

本文关键词：AlN陶瓷激光金属化的研究进展　出处：《激光与光电子学进展》2017年07期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：介绍了氮化铝(AlN)陶瓷激光金属化的进展和金属化过程中的问题以及主要解决方法。激光金属化利用激光的热效应使AlN表面发生热分解,直接生成金属导电层,该方法具有成本低、效率高、设备维护简单等优点。进一步介绍了激光器、光束质量、工艺参数等的优化方法以及AlN陶瓷金属化的应用,并对AlN陶瓷激光金属化在未来的发展进行了展望。
[Abstract]:The progress of laser metallization of AlN ceramics and the problems in the process of metallization and their main solutions are introduced. The surface of AlN is decomposed by laser metallization using the thermal effect of laser. The method has the advantages of low cost, high efficiency and simple equipment maintenance. The laser and beam quality are further introduced. The optimization method of process parameters and the application of AlN ceramic metallization are also discussed. The future development of AlN ceramic laser metallization is prospected.
【作者单位】：桂林电子科技大学信息与通信学院;中国科学院微电子研究所微电子设备技术研究室;中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程中心;清华大学精密仪器系微纳制造器件与系统协同创新中心精密测试技术及仪器国家重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(61376083) 中国博士后科学基金特别资助(2015T80080)
【分类号】：TN24
【正文快照】： 1 引言近年来,随着大规模集成电路及电子设备向高速化、多功能、小型化、低功耗方向发展,相关应用对高性能、高密度电路的需求日益增加。其中,芯片制造业对芯片的封装测试也提出了要求,需要寻找更优异的材料用于封装制备。氮化铝(AlN)陶瓷具有导热系数高、膨胀系数低、介电

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