布拉格反射波导光子晶体宽光谱量子阱激光器

发布时间：2018-03-03 01:13

  本文选题：半导体激光器　切入点：量子阱　出处：《红外与毫米波学报》2017年03期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：半导体宽谱激光在传感、光谱学等领域有着重要的应用.传统半导体宽谱激光器主要采用宽增益材料和全反射波导,采用简单量子阱结构制备宽谱激光器一直是个难题.作者首次证明了一种基于布拉格反射波导一维光子晶体的新型量子阱宽谱激光器,其结构主要包括In Ga As/Ga As量子阱和上下布拉格反射镜,通过偏离解理实现激光输出.研究发现在偏离角7°时,器件展现宽谱超辐射发光二极管特性,4.4°偏离角时实现了宽光谱激光输出,光谱宽度达到33.7 nm,连续输出功率36 m W.本研究为探索新型量子阱宽谱激光器提出了一种新的技术途径.
[Abstract]:Semiconductor wide spectrum lasers have important applications in sensing, spectroscopy and other fields. Traditional semiconductor wide spectrum lasers mainly use wide gain materials and total reflection waveguides. It has always been a difficult problem to fabricate a wide spectrum laser using simple quantum well structure. A novel quantum well wide spectrum laser based on one dimensional photonic crystal of Bragg reflection waveguide is first proved. In Ga As/Ga as quantum wells and upper and lower Bragg reflectors are mainly used to realize laser output by deviating from cleavage. It is found that the laser output is obtained at a deviation angle of 7 掳. A wide spectrum laser output with a spectral width of 33.7 nm and a continuous output power of 36 MW has been achieved when the characteristics of the wide-spectrum superluminescent diodes show the deviation angle of 4.4 掳. This study provides a new technical approach for exploring a novel quantum well wide-spectrum laser.
【作者单位】： 长春理工大学电子信息工程学院;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;长春机械科学研究院有限公司;
【基金】：国家自然科学基金(61404138,61474119) 吉林省自然基金(20140101203JC,20150520105JH)~~
【分类号】：TN248.4

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 蒙成举;苏安;高英俊;;实现高效光滤波与放大功能的掺激活杂质光量子阱[J];红外与激光工程;2013年12期

2 王晓光,常勇,桂永胜,褚君浩,曹昕,曾一平,孔梅影;赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究[J];红外与毫米波学报;2000年05期

3 陈涌海,叶小玲,王占国;量子阱平面光学各向异性的偏振差分反射谱研究[J];固体电子学研究与进展;2002年04期

4 胡振华,黄德修;非对称耦合量子阱吸收与色散的理论研究[J];物理学报;2005年04期

5 刘靖;孙军强;黄重庆;黄德修;;二维光量子阱共振隧穿光谱特性的改善[J];发光学报;2007年03期

6 苏安;高英俊;焦美娜;卢强华;;可实现奇数通道滤波功能的光量子阱透射谱[J];发光学报;2009年03期

7 孙道林;林静;;一维光量子阱滤波性能的研究[J];光电子技术;2009年02期

8 朱海娜;徐征;赵谡玲;张福俊;孔超;闫光;龚伟;;量子阱结构对有机电致发光器件效率的影响[J];物理学报;2010年11期

9 陈海波;胡素梅;高英俊;;一维矩形受限光量子阱光传输特性的研究[J];光学技术;2011年03期

10 费宏明;周飞;杨毅彪;梁九卿;;光子晶体双量子阱的共振隧穿[J];物理学报;2011年07期

相关会议论文 前10条

1 万仁刚;张同意;;非对称量子阱中基于隧穿诱导增强交叉相位调制的锥辐射[A];第十五届全国量子光学学术报告会报告摘要集[C];2012年

2 苏雪梅;;GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱子带跃迁间Fano干涉效应及其色散性质[A];“加入WTO和科学技术与吉林经济发展——机遇·挑战·责任”吉林省第二届科学技术学术年会论文集（上）[C];2002年

3 宁永强;孙艳芳;李特;秦莉;晏长岭;王超;刘云;王立军;;周期增益量子阱大功率垂直腔面发射激光器[A];全国第十二次光纤通信暨第十三届集成光学学术会议论文集[C];2005年

4 廖辉;陈伟华;李丁;李睿;杨志坚;张国义;胡晓东;;三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构研究[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年

5 李超荣;吕威;张泽;;InGaN/GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响[A];第十三届全国电子显微学会议论文集[C];2004年

6 卜涛;李福利;;基于零平均折射率带隙的光量子阱结构的透射特性[A];第十三届全国量子光学学术报告会论文摘要集[C];2008年

7 朱岩;倪海桥;王海莉;贺继方;李密峰;尚向军;牛智川;;GaAs基异变量子阱[A];中国光学学会2010年光学大会论文集[C];2010年

8 李俊泽;陶岳彬;陈志忠;姜显哲;付星星;王溯源;吴洁君;于彤军;张国义;;低铟夹层对量子阱发光的影响研究[A];第十二届全国MOCVD学术会议论文集[C];2012年

9 闫东鹏;陆军;卫敏;段雪;;基于插层组装材料的多重量子阱结构理论设计与分子模拟[A];中国化学会第27届学术年会第14分会场摘要集[C];2010年

10 哈斯花;班士良;;应变闪锌矿(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年

相关博士学位论文 前10条

1 李倩;量子阱红外探测器的等离激元微腔光耦合研究[D];中国科学院研究生院(上海技术物理研究所);2015年

2 李毅;Ⅲ族氮化物量子阱发光特性的研究[D];南京大学;2013年

3 Muhammad Ashfaq Jamil;脉冲激光沉积制备ZnO基量子阱及其光学性质研究[D];大连理工大学;2016年

4 谢耀平;金属量子阱系统和金纳米结构催化效应的第一性原理研究[D];复旦大学;2009年

5 朱俊;应变纤锌矿量子阱中的电子态[D];内蒙古大学;2012年

6 屈媛;纤锌矿氮化物量子阱中电子迁移率及应变和压力调制[D];内蒙古大学;2010年

7 徐枝新;耦合量子阱能级特性与结构优化的研究[D];浙江大学;2006年

8 王明华;富硅氮化硅和纳米硅多层量子阱硅基发光薄膜与器件[D];浙江大学;2009年

9 吴小明;含V形坑的Si衬底GaN基蓝光LED发光性能研究[D];南昌大学;2014年

10 路慧敏;Ⅲ族氮化物量子阱光电子学特性和应用的研究[D];北京交通大学;2011年

相关硕士学位论文 前10条

1 蔡镇准;基于耦合量子阱的GaN基垂直结构LED器件研究[D];华南理工大学;2015年

2 李志强;纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱中阱宽和组分对极化子效应的影响[D];内蒙古师范大学;2015年

3 贾慧民;InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱结构及光谱分析[D];长春理工大学;2014年

4 马双庆;GaN基紫外LED多量子阱结构优化研究[D];西安电子科技大学;2014年

5 丁娟;GaN基紫外LED的光致发光谱分析[D];西安电子科技大学;2014年

6 史辰恬;InGaN量子阱中的载流子横向迁移效应[D];南京大学;2016年

7 詹小红;InGaAs量子阱半导体薄片激光器芯片处理及光谱特性[D];重庆师范大学;2016年

8 王蕊;非对称耦合双量子阱GaAs/Al_xGa_(1-x)As中的激子态[D];内蒙古大学;2016年

9 白丹;氮化镓量子阱波导及波导集成器件的研究[D];南京邮电大学;2016年

10 陈蛟龙;GaN基长波紫外LED多量子阱结构调整对光效的影响[D];西安电子科技大学;2015年

，

本文编号：1558909