门电压诱导的单分子磁体磁滞效应

发布时间：2018-03-21 04:21

  本文选题：单分子磁体　切入点：率方程　出处：《山西大学学报(自然科学版)》2017年02期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：基于率方程研究了温差驱动的单分子磁体中,门电压诱导的磁滞效应。当门电压从某一负值缓慢地增加到某一正值再从该正值返回到负值时,分子磁体磁化强度对门电压的响应曲线不重合,而是一条闭合磁滞回线。这种磁滞效应是分子磁体的宏观量子效应,只出现在低温下,可以从分子态占据概率对门电压的依赖来解释。此外,还讨论了温度、铁磁电极极化率以及交换作用对磁滞回线所围面积的影响。
[Abstract]:Based on the rate equation, the hysteresis effect induced by gate voltage in monolayer magnets driven by temperature difference is studied. When the gate voltage slowly increases from a certain negative value to a positive value and then returns to a negative value from that positive value, The magnetization response curve of molecular magnets does not coincide with the gate voltage, but a closed hysteresis loop. The hysteresis effect is a macroscopic quantum effect of molecular magnets, which only occurs at low temperature. The dependence of the molecular state occupation probability on the gate voltage can be explained. In addition, the effects of temperature, polarizability of ferromagnetic electrode and exchange action on the area around the hysteresis loop are discussed.
【作者单位】： 山西大学理论物理研究所;
【基金】：国家自然科学基金(11274208)
【分类号】：O561

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本文编号：1642233