两种微方阵列基底上碳纳米管薄膜强流脉冲发射比较

发布时间：2018-03-22 03:14

本文选题：碳纳米管　切入点：强流脉冲发射　出处：《固体电子学研究与进展》2017年02期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用酞菁铁高温热解方法,以化学镀铜层为缓冲层在具有微方结构阵列的硅基底上制备了CNTs薄膜,基底微方阵列的单元尺度分别为10μm×10μm×20μm(微方底边长为10μm,高为20μm)和40μm×40μm×20μm(微方底边长为40μm,高为20μm),微结构的阵列间距分别为30μm和80μm;在20GW脉冲功率源系统中采用二极管结构对两种CNTs薄膜进行强流脉冲发射特性测试。结果显示:随着脉冲电场峰值的增大,两种冷阴极的强流脉冲发射电流值逐渐增大,在相同峰值的脉冲电场下,微方结构单元尺度为10μm×10μm×20μm的基底上CNTs薄膜冷阴极的发射能力较大。结合利用有限元分析软件ANSYS模拟计算的微方阵列结构上表面的电场分布,研究了基底上两种微方阵列结构对碳纳米管薄膜强流脉冲发射能力的影响。
[Abstract]:CNTs thin films were prepared on silicon substrates with micro-square arrays by pyrolysis of iron phthalocyanine at high temperature, using electroless copper plating as buffer layer. The cell scales of the array are 10 渭 m 脳 10 渭 m 脳 20 渭 m (10 渭 m and 20 渭 m) and 40 渭 m 脳 40 渭 m 脳 20 渭 m (40 渭 m 脳 40 渭 m 脳 20 渭 m), respectively. The array spacing of the microstructures is 30 渭 m and 80 渭 m, respectively. The characteristics of intense current pulse emission of CNTs thin films are measured. The results show that with the increase of the peak value of the pulsed electric field, The current value of intense pulse emission of two cold cathodes increases gradually, and under the same peak value of pulse electric field, The emission ability of CNTs thin film cold cathode on the substrates of 10 渭 m 脳 10 渭 m 脳 20 渭 m with the element scale of 10 渭 m 脳 10 渭 m 脳 20 渭 m is larger. The electric field distribution on the surface of the micro square array structure is simulated by using the finite element analysis software ANSYS. The effects of two kinds of microarrays on the pulsed emission of carbon nanotubes thin films were investigated.
【作者单位】：郑州航空工业管理学院理学院;中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金项目资助项目(11404291) 航空科学基金资助项目(2014ZF55013,2015ZF55013) 河南省科技创新杰出人才资助项目(164200510006) 河南省高等学校重点科研项目计划(15A140042)
【分类号】：TB383.1;O484

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