电子回旋共振等离子体中TMG的离解氢对气相沉积氮化镓薄膜的影响

发布时间：2018-03-28 21:37

  本文选题：ECR等离子体　切入点：氮化镓　出处：《真空科学与技术学报》2017年04期

【摘要】：氢在GaN薄膜制备工艺中扮演很重要的角色,氢主要有两个来源,一是载气氢,另一个来源是从TMG气源本身离解出来的氢产物。本文研究了电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)沉积GaN薄膜工艺中从TMG离解出来的氢产物及其对薄膜生长环境的影响。实验分别采用N_2和TMG作为N源和Ga源,衬底为(0001)面α-Al_2O_3。实验的结果表明从TMG中离解出来的氢产物的数量会随着微波功率的增加而增加,特别是当微波功率大于500 W时离解氢的数量增加更明显,但是这种增加还不足以改变PECVD沉积GaN薄膜过程中本来的富镓生长环境。
[Abstract]:Hydrogen plays an important role in the preparation of GaN thin films. Hydrogen mainly comes from two sources. Another source is the hydrogen product dissociated from the TMG gas source. The hydrogen products dissociated from TMG and their effects on GaN thin films by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition (ECR-PECV D) have been studied in this paper. The effects of long environment. The experiment uses Ns _ 2 and TMG as N source and Ga source, respectively. The experimental results show that the number of hydrogen products dissociated from TMG increases with the increase of microwave power, especially when microwave power is greater than 500W. However, this increase is not enough to change the gallium rich growth environment during the deposition of GaN films by PECVD.
【作者单位】： 广东省量子调控工程与材料重点实验室华南师范大学物理与电信工程学院;广东技术师范学院电子与信息工程学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(10575039) 广东省自然科学基金项目(S2013010012548)资助
【分类号】：O484;O53

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本文编号：1678167